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39、DAC有两个寄存器，一个是DHR（Data HoldingRegister）数据保持寄存器，一个DOR（Data Output Register）数据输出寄存器。
真正起作用的是DOR寄存器，该寄存器把值给数模转换发生单元输出以VREF+为参考电压的电压值。
如果是硬件触发转换，系统将在1个ABP时钟周期后把值给DOR，如果是软件触发转换，时间为3个APB时钟周期。然后，均等待Tsetting时间（Typical为3us,Max为4us）后真正输出电压值。
40、DAC分8位模式和12位模式，其中后者可以选择左右对齐。
41、DMA仲裁器分为软件和硬件两种。软件部分分为4个等级，分别是很高优先级、高优先级、中等、低。硬件部分由通道的大小来决定优先级，越低优先级越高。
1、 SYSCLK时钟源有三个来源：HSI RC、HSE OSC、PLL
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2、 MCO[2：0]可以提供4源不同的时钟同步信号。
3、 GPIO口有两个反向串联的二极管用作钳位二极管。
<strong><font color="#004a85">本文作者：颜荣宏</font> </strong>
DCDC直流电源转换器从字面上来看便可大致得知其主要作用是要作为不同电压源需求转换的, 从某一主要输入电压转换到另一个所需求的电压来提供给不同芯片所使用。
举例来说, 一般汽车上所提供的电压为12V, 但在不同的应用及不同的IC芯片则会有不同的工作电压需求, DCDC转换器是指将直流输入电源转换成另一直流输出的装置名称。在应用上，通常有线性稳压器 (Linear Regulator)，如图1，或开关式稳压器
(Switching Regulator)，如图2。
<strong>1、前言</strong>
回路面积的控制对于解决EMC问题有着重要意义，直接关系到干扰和抗干扰的能力。一般谈到回路面积，其实就是说信号电流的路径问题。这里有一个基本事实是：电流总是在闭合的回路中流动，而且总是从阻抗最小的路径上通过，尤其是我们关心的高频信号，所以电路设计者必须控制它在电路板上面的位置。也就是控制最小阻抗路径。
一般对于控制阻抗的方法是控制寄生参数。这里我们讨论信号耦合对于阻抗控制的作用。
随着电子产品集成度、处理器速度、开关速率和接口速率的不断提升，电子产品ESD/EMI/EMC问题日益突出，尤其是当手持电子设备向轻薄小巧方向发展而且产品功能不断增加时，它们的输入/输出端口也随之增多，导致静电放电进入系统并干扰或损坏集成电路，电路保护是最容易出现问题的部分，也是容易被忽略的问题。
在通信、消费、军工、航空航天等领域，ESD往往是引起电路失效的罪魁祸首，而过流过压保护器件选择、传导辐射电磁干扰消除、EMC测试环境等问题成为工程师在设计时的难点，这些问题该怎么解决呢？
<strong>一、电路保护从元器件选型开始</strong>
飞轮电容的工作原理类似于充电泵电容，可以实现如下功能:
（1）叠加在浮动电压上实现升压，如叠加在BUCK、BOOST变换器开关节点SW的电容。
（2）实现升降压功能，如SEPIC电路的主功率回路电容。
（3）实现负压功能，如CUK电路的主功率回路电容。
如果将飞轮电容串联在BUCK电路的主回路，输入电压通过飞轮电容加到输出电感，由于电容相当于一个电压源，那么，电感两端所加的电压为：Vin –Vc –Vo，相比Vin –Vo，电压降低很多，就可以实现这种低占空比的应用，同时还可以提高效率，下面分别介绍这三种飞轮结构的BUCK变换器。
这样的一个应用：-12V的输入，+5V的非隔离输出， 也就是负电压输入、正电压输出，应该采用什么结构的变换器？
反激变换器可以实现上述的电压变换，但要用到变压器，如果不用变压器，那么是否有其它的更简单的方法？
电源控制IC内部所有的电路都是以IC的地管脚为基准，如果将输入电压的负端,连接到IC控制器的地管脚，那么对于变换器而言，输入电压相当于正电压，如图1所示。
<strong>一、前言</strong>
如何正确使用仪器仪表是每一位工程师必要的要求，特别是示波器，很多人都不注意隔离等限制，以至于发生炸探头等事件，那么在使用示波器时有哪些不安全操作呢？
<strong>二、不安全操作之浮地测量</strong>
有些工程师会有这样的一个习惯：当要测量高压信号时，习惯性的把电源插头的保护地断开，使用普通无源探头直接进行高压的浮地测量。实际上这么做还是有危害的。
<font color="red">常见现象举例：触摸示波器外壳感觉到触电</font>
<strong>检查：</strong>
<strong>变压器设计</strong>
高效率反激变换器大部分设计技巧隐藏在变压器里
绕组结构和磁决定变压（换）器性能是绕组结构在决定运行参数
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绕组结构的约束条件：
放大电路是一种弱电电路，是属于模拟量信号的一种，下面是使用三极管搭建的常用的三种基本放大电路的模型。
如图，该电路是共基极放大电路，这里的放大属于我们的电流放大，我们由ICQ=βIBQ可以得知，同时共基极放大电路的输入电压和输出电压属于反相位电压，相位差是180度，多用在放大电路的中间级，实现电流和电压的放大作用。
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<strong><font color="#004a85">作者：Haiwen Huang</font> </strong>
TWS（True Wireless Stereo，真无线蓝牙耳机）需要检测充电仓盖的开合，以及耳机是否在位，在这一检测功能中，霍尔器件因为反应灵敏，体积小，功耗低，受到越来越多的客户的青睐。在本文中，我们将会介绍市场常见的开关监测方案，以及霍尔传感器技术在TWS耳机中的应用。
<strong>一、常规开关检测方案</strong>
<strong>1、机械弹针检测</strong>
<strong><font color="#004a85">对于Flyback拓扑结构的诠释</font> </strong>
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<strong>一、问题描述：</strong>
某行车记录仪，测试的时候要加一个外接适配器，在机器上电运行测试时发现超标，具体频点是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其辐射超标产生的原因，并给出相应的对策。辐射测试数据如下：
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![http://mouser.eetrend.com/files/2019-11/博客/100045989-84119-1.png"](http://mouser.eetrend.com/files/2019-11/博客/100045989-84119-1.png"){kind=link}
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削弱电磁干扰 (EMI) 是所有电子系统中存在的问题。许多规范将电磁兼容性 (EMC) 与适应规定屏蔽下干扰功率谱级的能力相关联，恰恰证明了这一点。尤其是高频开关 DC/DC 转换器，开关换向过程中存在的高转换率电压和电流可能在稳压器自身（EMI 源）以及附近的敏感电路（受 EMI 干扰的设备）中产生严重的传导和辐射干扰。本系列文章的第 5 部分和第6部分回顾了多种适用于非隔离稳压器设计的 EMI 抑制技术。第 7 部分和第 8 部分回顾了隔离设计中的共模 (CM) 噪声及其抑制技术。
近来，业界对于隔离式 DC-DC 稳压器中高频变压器的性能要求愈发严苛，尤其是在抗电磁干扰 (EMI) 方面。在本系列文章的第 7 部分中，我们详细探讨了隔离式反激稳压器中共模 (CM) 噪声的主要来源和传播路径。
高瞬态电压 (dv/dt) 开关节点是共模噪声的主要来源，而变压器的绕组间分布电容则是共模噪声的主要耦合路径。在第 7 部分中，我们在简单方便的双电容变压器模型基础上，采用共模噪声等效电路来模拟流经变压器电容的位移电流。在此期间，仅需使用一个信号发生器和一个示波器即可提取寄生电容并确定变压器共模噪声性能的特征，而无需进行在线测试。
<strong><font color="#004a85">作者：徐权、王俊文</font> </strong>
刚入EMC坑的很多小伙伴，在面对EMC问题，很多时候应该都会觉的无从下手，或者毫无头绪。至此，为何不反过来从测试得出的数据进行推测分析，下面就列举几个常见的EMI辐射问题分析思路。
<strong>一、有规律的单支信号</strong>
有规律的单支信号，大部分都是时钟信号。因为时钟是一个稳定的单一频率信号，所以在频率上呈现为一根根的单支，且DB也不会太低，大多数时钟超标的同时，它的倍频也会呈现相应的状态。
<strong><font color="#004a85">作者：Timothy Hegarty </font> </strong>
本系列文章的第 5 和第 6 部分介绍有助于抑制非隔离 DC-DC 稳压器电路传导和辐射电磁干扰 (EMI) 的实用指南和示例。当然，如果不考虑电隔离设计，DC-DC 电源 EMI 的任何处理方式都不全面，因为在这些电路中，电源变压器的 EMI 性能对于整体 EMI 性能至关重要。
特别是，了解变压器绕组间电容对共模 (CM) 发射噪声的影响尤其重要。共模噪声主要是由变压器绕组间寄生电容以及电源开关与底盘/接地端之间的寄生电容内的位移电流所导致的。DC-DC 反激式转换器已被广泛用作隔离电源，本文专门对其 CM 噪声进行了分析。
<strong>简介</strong>
本系列文章的第 1 部分至第 5 部分中，介绍了抑制传导和辐射电磁干扰 (EMI) 的实用指南和示例，尤其是针对采用单片集成功率 MOSFET 的 DC/DC 转换器解决方案进行了详细介绍。在此基础上，本文继续探讨使用控制器驱动分立式高、低侧功率 MOSFET 对的 DC/DC 稳压器电路适用的 EMI 的抑制技术。使用控制器（例如图 1 所示同步降压稳压器电路中的控制器）的实现方案具有诸多优点，包括能够增强电流性能，改善散热性能，以及提高设计选择、元器件选型和所实现功能的灵活性。
<strong><font color="#004a85">作者： Patrick Heath</font> </strong>
许多家用电器都包括一个或多个对其功能至关重要的电机。在不断提高市场份额的斗争中，新产品设计力求使其产品在竞争中脱颖而出。本文将探讨五个主要趋势，这些趋势塑造了电器电机控制的未来，电器电机控制适用于从 HVAC 系统到食品加工的所有领域。
<strong>能效</strong>
