<p><span>【</span><span>2020</span><span>年</span><span>11</span><span>月</span><span>3</span><span>日</span><span>，</span><span>德</span><span>国</span><span>慕尼黑</span><span>讯】当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司（</span><span>FSE</span><span>:</span><span><span> </span>IFX / OTCQX</span><span>:</span><span><span> </span>IFNNY）</span><span>通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继</span><span>2<span> </span></span><span>月份推出</span><span><span> </span>25 V<span> </span></span><span>装置后，英飞凌又推出了</span><span><span> </span>OptiMOS™ 40 V<span> </span></span><span>低电压功率</span><span><span> </span>MOSFET</span><span>，采用源极底置</span><span><span> </span>(SD, Source-Down) PQFN<span> </span></span><span>封装，尺寸为</span><span><span> </span></span><span>3.3mm x 3.3 mm。这款</span><span><span> </span>40 V SD MOSFET<span> </span></span><span>适用于服务器的</span><span><span> </span>SMPS</span><span>、电信和</span><span><span> </span>OR-ing</span><span>，还适用于电池保护、电动工具和充电器等应用。</span></p>
<p><span>OptiMOS SD 40 V</span><span>低电压功率</span><span><span> </span>MOSFET<span> </span></span><span>提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。采用源极底置</span><span><span> </span>(SD) PQFN<span> </span></span><span>封装的装置尺寸为</span><span><span> </span>3.3</span><span>mm</span><span><span> </span>x 3.3 mm</span><span>，可使</span><span><span> </span></span><span>R</span><span>DS(on)</span><span>大大降低</span><span><span> </span>25%</span><span>，接面与外壳间的热阻</span><span><span> </span></span><span>R</span><span>DS(on)</span><span>亦获得大幅改善。</span></p>
<p><span>SD<span> </span></span><span>封装的内部采用上下倒置的芯片。如此一来，让源极电位</span><span><span> </span>(</span><span>而非汲极电位</span><span>)<span> </span></span><span>能通过导热片连接至</span><span><span> </span>PCB</span><span>。与现有技术相比，此版本最终可使</span><span><span> </span></span><span>R</span><span>DS(on)</span><span>大大降低</span><span><span> </span>25%</span><span>。相较于传统的</span><span><span> </span>PQFN<span> </span></span><span>封装，接面与外壳间的热阻</span><span><span> </span></span><span>(R</span><span>thJC</span><span>)亦获得大幅改善。</span><span>SD OptiMOS<span> </span></span><span>可承受高达</span><span><span> </span>194 A<span> </span></span><span>的高连续电流。此外，经过优化的配置可能性和更有效的</span><span><span> </span>PCB<span> </span></span><span>利用，可实现更高的设计灵活性和出色的性能。</span></p>
<p><span>供货情况</span></p>
<p><span>OptiMOS SD 40 V低电压功率</span><span><span> </span>MOSFET<span> </span></span><span>提供两种版本：标准版和中央栅极版。中央栅极版针对多部装置并联作业进行了优化。两个版本皆</span><span>采</span><span>用</span><span><span> </span></span><span>PQFN 3.3</span><span>mm</span><span><span> </span>x 3.3 mm封装，</span><span>已开始</span><span>接受订购。欲获得更多资讯请浏览</span><a href="http://www.infineon.com/source-down"><span>www.infineon.com/source-down…;。</span></p>
<p><span>关于英飞凌</span></p>
<p><span>英飞凌科技股份公司是全球领先的半导体科技公司，我们让人们的生活更加便利、安全和环保。</span><span>英飞凌的微电子产品和解决方案将带您通往美好的未来。2019财年（截止9月30日），公司的销售额达80亿欧元，在全球范围内拥有约41,400名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所（股票代码：IFX）和美国柜台交易市场 OTCQX International Premier（股票代码：IFNNY）挂牌上市。</span></p>
<p><span>英飞凌中国</span></p>
<p><span>英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国</span><span>大陆</span><span>市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约2000名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖研发、生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术研发、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。</span></p>