<strong>MOS设计选型的几个基本原则</strong>
<strong>建议初选之基本步骤:</strong>
<strong>1 电压应力</strong>
在电源电路应用中,往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即:
VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS
注:一般地, V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V(BR)DSS 值作为参考。
<strong>2 漏极电流</strong>
其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ;漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极脉冲电流峰值的 90% 即:
ID_max ≤ 90% * ID
ID_pulse ≤ 90% * IDP