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英飞凌

英诺赛科参展2025(春季)亚洲充电展,称无惧英飞凌专利诉讼

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全球氮化镓领先企业英诺赛科参展2025(春季)亚洲充电展,英诺赛科是全球首家实现8英寸硅基氮化镓晶圆量产的企业,根据弗若斯特沙利文的数据,2023年英诺赛科在全球氮化镓功率半导体市场的份额为33.7%,按收入计排名第一。

英飞凌携手Enphase通过600 V CoolMOS™ 8提升能效并降低 MOSFET相关成本

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Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)的 600 V CoolMOS™ 8高压超结(SJ)MOSFET产品系列,简化了系统设计并降低了装配成本。

英飞凌边缘AI平台 DEEPCRAFT™ Studio通过Ultralytics YOLO 模型增加对计算机视觉的支持

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全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司在DEEPCRAFT™ Studio中增加了对计算机视觉的支持,扩大了当前对音频、雷达和其他时间序列信号数据的支持范围。

英飞凌推出采用新型硅封装的 CoolGaN™ G3晶体管,推动全行业标准化进程

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全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出采用RQFN 5x6 封装的 CoolGaN G3 100VIGD015S10S1)和采用RQFN 3.3x3.3封装的CoolGaN™ G3 80VIGE033S08S1)高性能GaN晶体管。


英飞凌发布《2025年GaN功率半导体预测报告》:GaN将在多个行业达到应用临界点,进一步提高能源效率

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在全球持续面临气候变化和环境可持续发展挑战之际,英飞凌科技股份公司一直站在创新前沿,利用包括硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)在内的所有相关半导体材料大幅推动低碳化和数字化领域的发展。