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英飞凌

英飞凌推出业界首款符合太空标准的并行接口1 Mb和2 Mb F-RAM,扩大其抗辐射存储器产品组合

winniewei /
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌近日推出业界首款抗辐射(rad hard)1 Mb和2 Mb并行接口铁电RAM(F-RAM)非易失性存储器。

低碳化、数字化推动可持续发展,英飞凌亮相2024慕尼黑上海电子展

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7月8~10日,全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌携广泛的功率及电源类半导体产品亮相“2024慕尼黑上海电子展”。以“低碳化和数字化推动可持续发展”为主题,全面展示了英飞凌在绿色低碳可持续技术领域的深厚积淀,以及在绿色能源与工业、智能家居、电动汽车等应用市场的创新解决方案。

英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列

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英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)近日推出新一代高压(HV)和中压(MV)CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓(GaN)的应用范围扩大到40 V至700 V电压,进一步推动数字化和低碳化进程。