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英飞凌推出先进的OptiMOS™功率MOSFET,进一步扩大采用PQFN 2x2 mm2封装的MOSFET器件的产品阵容

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英飞凌科技股份公司近日推出先进的全新OptiMOS功率MOSFET进一步扩大其采用PQFN 2x2 mm2封装的功率MOSFET的产品阵容此举旨在提供功率半导体行业标杆解决方案,在更小的封装尺寸内实现更高的效率和更加优异的性能。

英飞凌全新ISOFACE™数字隔离器产品组合可实现稳健的高压隔离、出色的效率和领先的抗噪能力

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为了满足市场对稳健高压隔离产品日益增长的需求,英飞凌科技股份公司推出了第一代ISOFACE™双通道数字隔离器,这款新器件能够与其他供应商的产品组合实现引脚兼容。

英飞凌Edge Protect嵌入式信息安全解决方案满足系统开发者和监管部门对消费级和工业级物联网应用的要求

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英飞凌科技股份公司于日前宣布推出Edge Protect™嵌入式安全解决方案。这款全新的软件解决方案有四类安全配置,能够以不断增强的安全功能满足客户对物联网应用的要求。


儒卓力展出英飞凌多种最新解决方案为客户提供极具市场竞争力应用优势

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在刚刚结束的慕尼黑电子展(electronica China)上,儒卓力(Rutronik Elektronische Bauelemente GmbH) 展出了英飞凌面向多种应用的最新解决方案,包括针对汽车、物联网/工业物联网(IoT/IIoT)、智能设备、工业自动化/机器人以及医疗设备等热门领域的最新产品和参考设计。


英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代1200 V CoolSiC™沟槽式MOSFET推动电动出行的发展

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英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC™ MOSFET。这款新一代车规级碳化硅(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能够实现双向充电功能,并显著降低了车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本。