CoolSiC

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出全新封装的 CoolSiC™ MOSFET 750V G2系列，旨在为汽车和工业电源应用提供超高系统效率和功率密度。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新型CoolSiC™ MOSFET 750 V G2。

英飞凌的CoolSiC^TM和CoolGaN^TM产品非常适用于应对数据中心机架和电源供应单元（PSU）电力需求增长所需的新架构和AC-DC配电配置。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日宣布其CoolSiC 1200 V和2000 V MOSFET模块系列新添全新工业标准封装产品。