MOSFET

<p><strong>摘要</strong></p>
<p>一般而言，在高输出电流隔离式DC-DC电源应用中，使用同步整流器（尤其是MOSFET是主流趋势。高输出电流还会在整流器上引入较高的di/dt。为了实现高效率，MOSFET的选择主要取决于导通电阻和栅极电荷。然而，人们很少注意寄生体二极管反向恢复电荷(Qrr)和输出电容COSS。这些关键参数可能会增大MOSFET漏极上的电压尖峰和振铃。一般而言，随着MOSFET击穿电压额定值的增大，导通电阻也会增大。本文提出一种数控有源钳位吸收器。该吸收器既可消除同步整流器上的电压尖峰和振铃，还能发挥设计指南作用；在隔离式DC-DC转换器（如半桥和全桥拓扑结构）中拥有多种其他优势，同时还能提高可靠性，降低故障率。</p>
<p><strong>简介</strong></p>