东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率 winniewei / 周四, 31 三月 2022 - 13:36 东芝电子元件及存储装置株式会社今日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。 阅读更多 关于 东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率登录 发表评论
Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围 winniewei / 周四, 24 三月 2022 - 10:01 新模型还可在原型设计前对EMC性能进行调查 阅读更多 关于 Nexperia先进电热模型可覆盖整个MOSFET工作温度范围登录 发表评论
英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，树立技术新标准 winniewei / 周二, 15 三月 2022 - 09:46 英飞凌科技股份公司近日推出了全新的采用PQFN 2 x 2 mm2 封装的OptiMOSTM 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立功率MOSFET技术树立全新的行业标准。 阅读更多 关于 英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET，树立技术新标准登录 发表评论
【AFG专题系列72变】之二：无刷电机调速器我可以 winniewei / 周五, 25 二月 2022 - 11:11 本文通过使用任意波发生器对电子调速器进行驱动和测试，在精准测量出各路桥臂时延特性后，经过驱动软件优化让电路达到了最佳控制效果。 阅读更多 关于 【AFG专题系列72变】之二：无刷电机调速器我可以登录 发表评论
从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比 winniewei / 周三, 23 二月 2022 - 15:31 近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。 阅读更多 关于 从硅过渡到碳化硅，MOSFET的结构及性能优劣势对比登录 发表评论
英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET winniewei / 周二, 15 二月 2022 - 15:07 高功率密度、出色的性能和易用性是当前电源系统设计的关键要求。为此，英飞凌科技股份公司推出了新一代OptiMOS™ 源极底置（Source-Down，简称SD）功率MOSFET，为解决终端应用中的设计挑战提供切实可行的解决方案。 阅读更多 关于 英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET登录 发表评论
Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 m winniewei / 周三, 9 二月 2022 - 10:46 小型器件采用无引线键合鸥翼引线结构，提高板级可靠性 阅读更多 关于 Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET，优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65 m登录 发表评论
意法半导体推出第三代碳化硅产品，推动电动汽车和工业应用未来发展 winniewei / 周五, 10 十二月 2021 - 10:56 意法半导体推出第三代STPOWER碳化硅 (SiC) MOSFET晶体管，推进在电动汽车动力系统功率设备的前沿应用，及在其他以高功率密度、高能效、高可靠性为重要目标的场景应用。 阅读更多 关于 意法半导体推出第三代碳化硅产品，推动电动汽车和工业应用未来发展登录 发表评论
Diodes Incorporated 目标电动汽车产品应用推出高电流 TOLL MOSFETs winniewei / 周四, 18 十一月 2021 - 14:05 Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 为金属氧化物半导体场效晶体管 (MOSFET) 推出节省空间、高热效率的 TOLL (PowerDI®1012-8) 封装，能在 175°C、100 瓦等级的 DMTH10H1M7STLWQ及 DMTH10H2M5STLWQ 下运作 阅读更多 关于 Diodes Incorporated 目标电动汽车产品应用推出高电流 TOLL MOSFETs登录 发表评论
【技术大咖测试笔记系列】之八：低功率范围内的MOSFET表征 winniewei / 周三, 20 十月 2021 - 15:44 半导体行业一直在寻找新型特殊材料、介电解决方案和新型器件形状，以进一步、再进一步缩小器件尺寸。例如，2D材料的横向和纵向异质结构导致了新的颠覆性小型低功率电子器件的产生。 阅读更多 关于 【技术大咖测试笔记系列】之八：低功率范围内的MOSFET表征登录 发表评论