SiC

中恒微推出Drive ED3 （EconoDUAL™ 3）封装的SiC功率模块，使用平面栅（planer gate）SiC MOSFET芯片技术，在高温下具有优异的RDS（ON）表现，标准封装具有良好的适配性。

英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）作为碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET沟槽栅技术的领导者，始终以卓越性能与高可靠性相结合的解决方案引领行业。

为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。

基于公司成熟量产的第二代车规SiC MOS平台，华润微电子功率器件事业群（以下简称PDBG）推出了1200V 450A/600A的半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块。

正向电阻温漂特性出色，电磁优化设计

瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2)，为光伏等领域提供了高电压、高功率密度的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试，并在光伏客户导入验证。

3月11日，瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。

英飞凌开始向客户提供首批采用先进的200 mm碳化硅（SiC）晶圆制造技术的SiC产品

中恒微推出Drive ED3封装SiC功率模块