ST

意法半导体即将发布一系列具有更高的性能功耗比的新型传感器。LSM6DSV16X是具有机器学习内核的MEMS惯性传感器的最新成员，具有更高精确度和更低功耗。

大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）MasterGaN1+L6599A芯片的250W LLC谐振直流变换器开发板方案。

大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）STNRG011+MASTERGAN1芯片的120W PD电源方案。

大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）PM8804的DC/DC ACF隔离式电源供应器方案。

大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）STEVAL-LLL009V1开发板的高压输入300W LED数字电源解决方案。

大联大控股宣布，其旗下友尚推出基于意法半导体（ST）VL53L1CX飞行时间传感器的社交距离感测器解决方案。

氮化镓(GaN)是一种III-V族宽能隙化合物半导体材料，能隙为3.4 eV，电子迁移率为1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和电子迁移率分别为1.1 eV和1,400 cm2/Vs。因此，GaN的固有性质让器件具有更高的击穿电压和更低的通态电阻，这就是说，与同尺寸的硅基器件相比，GaN器件可以处理更大的负载，能效更高，物料清单成本更低。