<p><span><strong>2021年2月4日</strong></span><span><span>——</span></span><span><span>全球公认的卓越光电解决方案制造商X-FAB Silicon Foundries（</span></span><span><span>“</span></span><span><span>X-FAB</span></span><span><span>”）</span></span><span><span>今日宣布，推出最新一代的雪崩光电二极管（APD）和单光子雪崩二极管（SPAD）器件。</span></span></p>
<p><img alt="X-FAB对其180nm APD和SPAD器件进行重大改进，提升光子探测性能并增加其有源区面积" data-entity-type="file" data-entity-uuid="462946c8-e2aa-4d84-b558-d85cfe2c7da8" src="http://new.eetrend.com/files/2021-02/wen_zhang_/100061685-122031-1.png&…; /></p>
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<p><span><span>X-FAB全新APD和SPAD采用其成熟且</span></span><span><span>通过汽车</span></span><span><span>认证的180nm XH018高压工艺。得益于创新的架构改进，其与该公司的早期器件（最初于</span></span><a href="https://www.xfab.com/about-x-fab/news/news-detail-page?tx_news_pi1%5Bne…年中期发布</span></span></a><span><span>）相比，性能得到显著提升，因此可用于光照强度极具挑战性的场景。同时，新</span></span><span><span>器件</span></span><span><span>与上一代的外形</span></span><span><span>与连接</span></span><span><span>兼容性得到保留，从而确保了简单便捷的升级途径，而无需额外的工程工作。</span></span></p>
<p><span><span>性能提升最明显的领域之一是光子探测概率（PDP）。405nm波长入射光PDP数值为42%，而在近红外（NIR）频率上的改进幅度更进一步，高达150%；850nm波长PDP数值为5%。此外，后脉冲概率</span></span><span><span>为</span></span><span><span>0.9%，与第一代器件相比降低了70%；暗计数率（DCR）仅13次/</span></span><span><span>秒</span></span><span><span>/µm²，当前可支持的填充因子（有源传感器表面积百分比）几乎翻了一番，达到33%。*</span></span></p>
<p><span><span>由于击穿电压特性可能因设备而异，因此需要精确测定来确保APD/SPAD的良好性能。基于这个原因，X-FAB内置了一个触发二极管</span></span><span><span>，可以在</span></span><span><span>无需外部光源即可实现精确、实时的片上击穿电压检测。全新产品包含</span></span><span><span>主动猝灭电路</span></span><span><span>，可以</span></span><span><span>通过它加快SPAD器件的恢复速度，使其为进一步光子探测做好准备。得益于尺寸的灵活性（宽度和长度方面），全新SPAD带来了更杰出的应用适应性。SPAD和APD器件的完整器件模型保证了首次成功（first-time-right）；该模型还包括新的内置触发二极管行为。</span></span></p>
<p><span><span>“</span></span><span><span>得益于提升的PDP并结合极富竞争力的DCR水平，我们向市场推出的APD/SPAD解决方案具备令人印象深刻的信号完整性特性；这将使我们的客户在众多应用中获得直接的收益，如医疗领域中的计算机</span></span><span><span>层析成像</span></span><span><span>和荧光检测，以及工业和汽车系统中的ToF与激光雷达等。</span></span><span><span>”</span></span><span><span>X-FAB光电技术业务线经理Detlef Sommer表示，</span></span><span><span>“</span></span><span><span>这些先进的光电元件是X-FAB设计套件的宝贵补充，拓宽了在XH018工艺中可利用的互操作资产选择范围。</span></span><span><span>”</span></span></p>
<p><span><strong>注*</strong></span></p>
<p><span><span>此处引用的所有测量参数适用于具有10µm直径光学有源区的器件，该器件在室温下进行</span></span><span><span>被动猝灭电路</span></span><span><span>并带有2V的过偏置。</span></span></p>
<p><span><strong>缩略语</strong></span></p>
<p><span><span lang="EN-US">APD<span> </span><span> </span>雪崩光电二极管</span></span></p>
<p><span><span lang="EN-US">DCR<span> <span> </span></span></span></span><span><span>暗计数率</span></span></p>
<p><span><span lang="EN-US">PDP<span> </span><span> </span>光子探测概率</span></span></p>
<p><span><span lang="EN-US">SPAD<span> </span><span> </span>单光子雪崩光电二极管</span></span><span><span>（</span></span><span><span>Single-Photon Avalanche Photodiode</span></span><span><span>）</span></span></p>
<h3><span>关于X-FAB</span></h3>
<p><span>X-FAB是领先的模拟/混合信号和MEMS晶圆代工集团，生产用于汽车、工业、消费、医疗和其它应用的硅晶圆。X-FAB采用尺寸范围从1.0 µm至130 nm的模块化CMOS和SOI工艺，及其特色SiC与微机电系统（MEMS）长寿命工艺，为全球客户打造最高的质量标准、卓越的制造工艺和创新的解决方案。X-FAB的模拟数字集成电路（混合信号IC）、传感器和MEMS在德国、法国、马来西亚和美国的六家生产基地生产，并在全球拥有约3,800名员工。</span><a href="http://www.xfab.com/"><span>www.xfab.com</span></a></p>