跳转到主要内容

碳化硅

快充仅是第三代半导体应用“磨刀石”,落地这一领域可每年省电40亿度

winniewei /
众所周知,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体,相较传统的硅材料半导体,具备许多非常优异的特性,如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等。

瑞能半导体举行CEO媒体沟通会 凭碳化硅器件跻身行业前列 聚焦新赛道持续研发稳固核心竞争力

winniewei /
近日,瑞能半导体CEO Markus Mosen(以下简称Markus)的媒体沟通会在上海静安洲际酒店举行,瑞能半导体全球市场总监Brian Xie同时出席本次媒体沟通会。

【原创】瑞能半导体--第六代碳化硅已达国际水准!

winniewei /

目前,全球电动汽车市场走热,节能减排加速清洁能源普及以及充电桩需求加大,这几个因素叠加推动了对大功率半导体的需求,市场需要耐高压、耐高热的新型功能半导体器件,而第三代半导体材料因其具有更宽的禁带宽度、

瑞能半导体将携IGBT和碳化硅等功率器件新品亮相2021慕尼黑上海电子展览会

winniewei /

2021慕尼黑上海电子展览会即将于4月14日至16日在上海新国际博览中心举办。慕尼黑上海电子展作为电子行业展览,是行业内重要的盛事。本届慕尼黑上海电子展览会将汇聚近千家国内外优质电子企业,涵盖从产品设计到应用落地的上下游产业,展示内容包括了半导体、传感器、物联网技术、汽车电子及测试等。

三安集成完成碳化硅MOSFET量产平台打造,贯通碳化硅器件产品线

winniewei /

中国化合物半导体全产业链制造平台 -- 三安集成于日前宣布,已经完成碳化硅MOSFET器件量产平台的打造。首发1200V 80mΩ产品已完成研发并通过一系列产品性能和可靠性测试,其可广泛适用于光伏逆变器、开关电源、脉冲电源、高压DC/DC、新能源充电和电机驱动等应用领域,有助于减小系统体积,降低系统功耗,提升电源系统功率密度。目前多家客户处于样品测试阶段。