英飞凌签约GT Advanced Technologies,扩大碳化硅供应 winniewei / 周五, 13 十一月 2020 - 11:45 英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)与GT Advanced Technologies(GTAT)已经签署碳化硅(SiC)晶棒供货协议,合同预期五年。通过这份供货合同,英飞凌将进一步确保满足其在该领域不断增长的需求。 阅读更多 关于 英飞凌签约GT Advanced Technologies,扩大碳化硅供应登录 发表评论
安森美半导体碳化硅(SiC)方案应用于太阳能逆变器电源及电动汽车充电桩等 winniewei / 周一, 9 十一月 2020 - 14:30 本次研讨会将介绍安森美半导体的SiC 生态系统及颠覆性的SPICE建模,以及SiC用于太阳能及可再生能源、电动/混动汽车充电桩、服务器和工业应用的方案。 阅读更多 关于 安森美半导体碳化硅(SiC)方案应用于太阳能逆变器电源及电动汽车充电桩等登录 发表评论
智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅(SiC)的电动汽车 winniewei / 周三, 4 十一月 2020 - 10:30 本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块(IPM)体系所带来的益处,尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。 阅读更多 关于 智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅(SiC)的电动汽车登录 发表评论
贸泽电子与SemiQ签署全球分销协议,分销碳化硅电源产品组合 cathy / 周三, 4 十一月 2020 - 09:09 <p>贸泽电子 (<a href="https://www.mouser.com/">Mouser Electronics</a>) 宣布与<a href="https://www.mouser.com/manufacturer/semiq/">SemiQ</a>签署全球分销协议。SemiQ是一家部分员工持股的公司,坚信碳化硅 (SiC) 产品的持续技术创新将为未来能源行业中的电力电子技术奠定基础。SemiQ可以自主完成SiC外延生长,并且正与多家基材供应商、多家外延技术供应商、两家晶圆厂以及多家封装和测试厂商一道建立起高度可靠的冗余供应链。 </p> 阅读更多 关于 贸泽电子与SemiQ签署全球分销协议,分销碳化硅电源产品组合登录 发表评论
原创深度 | 碳化硅器件:纯电动车三级充电桩的优选(二) cathy / 周四, 14 十一月 2019 - 16:36 <font color="#004a85">作者:Robert Huntley 贸泽电子</font> 在上一篇文章“碳化硅器件:纯电动车三级充电桩的优选(一)”中,我们探讨了转换效率与高速电压转换之间的关系。在本文,我们将揭示新型宽带隙技术非常适合充电桩的理由。 <center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2019-11/wen_zhang_/100046041-84322-1.pn…; alt=“” width="600"></center> <strong>宽带隙器件</strong> 阅读更多 关于 原创深度 | 碳化硅器件:纯电动车三级充电桩的优选(二)登录 发表评论
原创深度 | 碳化硅器件:纯电动车三级充电桩的优选(一) cathy / 周二, 12 十一月 2019 - 16:17 <font color="#004a85">作者:Robert Huntley 贸泽电子</font> 一辆纯电动车(EV)充满电需要多久?如果借助家用交流电源的话,恐怕怎么也得花上一整个晚上。为解决充电时间问题,三级「快速」直流充电技术应运而生,有望将充电时间从数小时减少至数分钟。本文中,我们将探讨转换效率与高速电源转换之间的关系,并揭示新型宽带隙技术非常适合此类工作的理由。 <center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2019-11/wen_zhang_/100046006-84211-1.pn…; alt=“” width="600"></center> <strong>充电时间和续航里程一样重要</strong> 阅读更多 关于 原创深度 | 碳化硅器件:纯电动车三级充电桩的优选(一)登录 发表评论
碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET winniewei / 周二, 16 六月 2026 - 16:12 碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 阅读更多 关于 碳化硅赋能浪潮教程:利用SiC CJFET替代超结MOSFET登录 发表评论
英飞凌携手西门子:以碳化硅技术赋能数据中心及工厂电气保护 winniewei / 周四, 11 六月 2026 - 08:51 英飞凌与西门子携手推动固态断路器技术在数据中心、生产设施及电池储能系统等应用场景的发展 阅读更多 关于 英飞凌携手西门子:以碳化硅技术赋能数据中心及工厂电气保护登录 发表评论
碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析 winniewei / 周三, 10 六月 2026 - 10:25 碳化硅(SiC)凭借其优异的材料特性,在服务器、工业电源等关键领域掀起技术变革浪潮。本教程聚焦SiC 尤其是SiC JFET系列器件,从碳化硅如何重构电源设计逻辑出发,剖析其在工业与服务器电源场景的应用价值。 阅读更多 关于 碳化硅赋能浪潮教程:SiC Cascode JFET与SiC Combo JFET深度解析登录 发表评论
英飞凌推出业界首款面向AI 数据中心HVDC架构的 24 kW基于碳化硅(SiC)的电池备份单元(BBU)参考设计 winniewei / 周一, 8 六月 2026 - 17:22 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)宣布推出一款 24 kW 电池备份单元(BBU)DC-DC 参考设计。 阅读更多 关于 英飞凌推出业界首款面向AI 数据中心HVDC架构的 24 kW基于碳化硅(SiC)的电池备份单元(BBU)参考设计登录 发表评论