MOSFET

【好详细】理解MOSFET的每个特性参数的分析！

由 cathy 提交于周四, 19 三月 2020 - 13:42

1.绝对最大额定值

本视频将向您介绍Vishay TrenchFET 第四代顶侧双面冷却MOSFET的内容。

碳化硅（SiC）功率MOSFET受到很多关注，因为它们既可以快速开关，又能同时保持高阻断电压。但是它们出色的开关特性也伴随潜在的缺点。由不理想的电路板布局引起的寄生电感，以及碳化硅MOSFET的快速dv/dt和di/dt质量，可能产生电压和电流过冲、开关损耗和系统不稳定性问题。为了避免这些困难，设计人员必须深入了解碳化硅MOSFET的开关特性。

确保测试和测量的准确性

作者：高杨

在上篇《<a href="http://mouser.eetrend.com/content/2019/100045563.html">深入理解功率MOSFET数据表(…;》中，介绍了功率MOSFET的基本参数Rds(on)、VBR(DSS)、Qgs和Vgs。为了更深入的理解功率MOSFET的其它一些参数，本文仍然选用英飞凌公司的功率MOSFET为例，型号为IPD90N06S4-04。为了使每个参数的说明更具备直观性和易于理解，所有的表格和图表也是从IPD90N06S4-04中摘录出来的。下面就对这些参数做逐一的介绍。

作者：高杨

在汽车电子的驱动负载的各种应用中,最常见的半导体元件就是功率MOSFET了。本文不准备写成一篇介绍功率MOSFET的技术大全，只是让读者去了解如何正确的理解功率MOSFET数据表中的常用主要参数，以帮助设计者更好的使用功率MOSFET进行设计。

数据表中的参数分为两类：即最大额定值和电气特性值。对于前者，在任何情况下都不能超过，否则器件将永久损害；对于后者，一般以最小值、最大值、和典型值的形式给出，它们的值与测试方法和应用条件密切相关。在实际应用中，若超出电气特性值，器件本身并不一定损坏，但如果设计裕度不足，可能导致电路工作失常。

在功率MOSFET的数据表给出的参数中, 通常最为关心的基本参数为Rds(on)、VBR(DSS)、Qgs和Vgs。更为高级一些的参数，如ID、Rthjc、SOA、Transfer Curve、EAS等，将在本文的下篇中再做介绍。

第一种：雪崩破坏

如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。

典型电路：

第二种：器件发热损坏

本文将对电源IC BD7682FJ的外置MOSFET的开关调整部件和调整方法进行介绍。

MOSFET栅极驱动调整电路：R16、R17、R18、D17

“为了优化外置MOSFET Q1的开关工作，由R16、R17、R18、D17组成一个调整电路，用来调节来自BD7682FJ的OUT引脚的栅极驱动信号（参见电路图）。这个电路会对MOSFET的损耗和噪声产生影响，因此需要一边确认MOSFET的开关波形和损耗，一边进行优化。”

开关导通时的速度由串联到栅极驱动信号线上的R16和R17来调整。

开关关断时的速度由用来抽取电荷的二极管D17和R16共同来调整。

通过减小各电阻值，可提高开关速度（上升/下降时间）。

在此次的电路示例中，R16＝10Ω/0.25W，R17＝150Ω，D17＝肖特基势垒二极管RB160L-60（60V/1A）。

准谐振转换器在导通时基本上不会产生开关损耗，关断时的损耗占主导地位。

俗话说“人无远虑必有近忧”。对于电子设计工程师，在项目开始之前、器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。

功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑各方面的因素，小到选N型还是P型、封装类型；大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的3大法则，相信看完你会大有收获。

1、功率MOSFET选型第一步：P沟道还是N沟道？

处理MOSFET非线性电容

由 526095766_642 提交于周二, 21 五月 2019 - 11:12

自从30多年前首次推出以来，MOSFET已经成为高频开关电源转换的主流。该技术一直在稳步改进，目前我们已经拥有了对于毫欧姆RDSON值的低电压MOSFET。对于较高电压的器件，它正快速接近一位数字。实现这些改进的两个主要MOSFET技术进展是沟槽栅极和电荷平衡结构[1]。电荷平衡技术最初是为能够产生超结（superjunction）MOSFET的高电压器件而开发的，现在该技术也扩展到更低的电压。虽然该技术大幅度降低了RDSON以及所有的连结电容，但它也使得后者更加非线性化。MOSFET中的有效存储电荷和能量确实减少了，并且是显著地减少了，但是，计算这些参数或比较不同的MOSFET以获得最佳性能，已经成为一项相当复杂的事情。