MOSFET

半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天发布获得AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合，重点关注动力系统应用。

【2020年11月3日，德国慕尼黑讯】当代的电源系统设计需要高功率密度等级和精巧的外型尺寸，以期得到最高的系统级性能。英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）通过专注于强化元器件产品达到系统创新，来应对这一挑战。继2 月份推出 25 V 装置后，英飞凌又推出了 OptiMOS™ 40 V 低电压功率 MOSFET，采用源极底置 (SD, Source-Down) PQFN 封装，尺寸为 3.3mm x 3.3 mm。

我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生电容CDS，所以考虑寄生电容时，MOSFET 的等效电路就成了图 2 的样子了。但是，我们从MOSFET 的数据手册中一般看不到这三个参数，手册给出的参数一般是 CISS、COSS和CRSS（见图 1 ），

半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia将首次亮相于2020年11月5日至10日在上海举办的第三届中国国际进口博览会并将全方位介绍Nexperia如何运用逻辑IC、分立器件、MOSFET和GAN FET等创新器件推动全球各类电子设计的发展。

Diodes 公司 (Nasdaq：DIOD) 今日宣布推出符合车用规范的 3.3mm x 3.3mm 封装 40V 双 MOSFET。DMT47M2LDVQ 可以取代两个分立式 MOSFET，以减少众多汽车产品应用中电路板所占用的空间，包括电动座椅控制以及先进驾驶辅助系统 (ADAS) 等。

半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia响应行业需求，通过定义一组全新的MOSFET产品，最大限度提高性能。

东芝电子元件及存储装置株式会社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation，简称“东芝”）推出1200V碳化硅(SiC) MOSFET “TW070J120B”。该产品面向大容量电源等工业应用，于即日起出货。

专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始备货Microchip Technology的全新AgileSwitch®相臂SiC MOSFET模块。

欧时电子（RS Components，简称：RS）是Electrocomponents plc公司（全球工业客户及供应商全方位解决方案合作伙伴）（伦敦证交所：ECM）的一个贸易品牌，现在中国和日本引进了安森美最新的1200V碳化硅（SiC） MOSFET（场效应晶体管）。这些基于碳化硅技术的功率分离元件能够挑战性能极限。