MOSFET

基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。

针对工业及大电流应用对功率需求的不断提升，AOS推出创新型GTPAK功率MOSFET封装方案。该封装采用顶部散热技术，通过大面积裸露焊盘将热量高效传导至散热片，显著提升功率密度和散热效率，相比传统PCB底部散热方式具有明显优势。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司为电源管理解决方案领域领导者光宝科技(2301.tw)提供600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，使服务器应用拥有更加出色的效率和可靠性。

兼具更宽SOA范围和更低导通电阻，被全球知名云平台企业认证为推荐器件

这款节省空间的器件最大R_thJC低至0.36 ℃/W，并配有易于吸附焊锡的侧翼，从而改善工业应用的热性能和可焊性

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出30V耐压共源Nch MOSFET新产品“AW2K21”，其封装尺寸仅为2.0mm×2.0mm，导通电阻低至2.0mΩ（Typ.），达到业界先进水平。

新一代（Gen3）1200V aSiC MOSFET系列产品在高负载条件下能够保持较低的传导损耗，其开关品质因数（FOM）显著提升高达30%。在强化性能的同时，确保了卓越的可靠性。

超结器件支持高额定功率和高密度，同时能够降低传导和开关损耗，从而提高效率

Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。

全新X.PAK封装融合卓越散热性能、紧凑尺寸与便捷封装特性，适用于高功率应用场景