ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET winniewei / 周四, 6 三月 2025 - 14:20 实现业界超低导通电阻和超宽SOA范围 阅读更多 关于 ROHM开发出适用于AI服务器等高性能服务器电源的MOSFET登录 发表评论
Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技术平台，旨在为高功率应用在实际应用中带来突破性的性能表现 winniewei / 周三, 12 二月 2025 - 10:53 Wolfspeed 高度灵活的第 4 代 MOSFET 技术平台为高性能、针对应用优化的产品提供长期发展规划支持 阅读更多 关于 Wolfspeed 推出全新第 4 代 MOSFET 技术平台，旨在为高功率应用在实际应用中带来突破性的性能表现登录 发表评论
CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现 winniewei / 周四, 12 十二月 2024 - 16:56 提供超低RDS(on)和超高的电流与热管理能力 阅读更多 关于 CCPAK1212封装将再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表现登录 发表评论
Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET winniewei / 周三, 27 十一月 2024 - 16:52 提供业界领先的低通态电阻，使电池储能和电源设备应用的电路设计更加简化，性能得到提升。 阅读更多 关于 Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET登录 发表评论
英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合 winniewei / 周日, 29 九月 2024 - 09:38 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30 V产品组合，扩展了现有StrongIRFET™ 2系列产品的阵容，以满足大众市场对30 V解决方案日益增长的需求。 阅读更多 关于 英飞凌发布面向大众市场应用的StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合登录 发表评论
【测试案例分享】如何评估热载流子引导的MOSFET衰退 winniewei / 周四, 19 九月 2024 - 14:35 本文说明描述了如何在Keithley 4200-SCS（半导体表征系统）中使用这些关键功能来执行热载流子退化测试。 阅读更多 关于 【测试案例分享】如何评估热载流子引导的MOSFET衰退登录 发表评论
Nexperia现提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封装的汽车级小信号MOSFET winniewei / 周三, 11 九月 2024 - 10:09 单/双封装比传统封装具有更优异的热性能 阅读更多 关于 Nexperia现提供采用微型DFN1110D-3和DFN1412-6封装的汽车级小信号MOSFET登录 发表评论
贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET cathy / 周三, 24 七月 2024 - 14:08 CoolSiC™ G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动应用。 阅读更多 关于 贸泽开售适合能量转换应用的新型英飞凌CoolSiC G2 MOSFET登录 发表评论
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解 winniewei / 周四, 6 六月 2024 - 17:11 MOSFET、IGBT和BJT等半导体器件的开关速度受到元件本身的电容的影响。为了满足电路的效率，设计者需要知道这些参数。例如，设计一个高效的开关电源将要求设计者知道设备的电容，因为这将影响开关速度，从而影响效率。这些信息通常在MOSFET的指标说明书中提供。 阅读更多 关于 【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解登录 发表评论
Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK封装的600 V E系列功率MOSFET winniewei / 周二, 7 五月 2024 - 14:21 第四代器件，额定功率和功率密度高于D2PAK 封装产品，降低导通和开关损耗，从而提升能效 阅读更多 关于 Vishay推出具有业内先进水平的小型顶侧冷却PowerPAK封装的600 V E系列功率MOSFET登录 发表评论
