<strong>简介</strong>

如今的电子产品已经不再像上世纪 70 年代的电视和电冰箱一样，消费者每隔十年才更新换代一次。现在几乎每个家庭的每位成员都是电子产品的消费者，而且随着科技发展不断为智慧手机、平板计算机、汽车和电视带来各种人们消费得起的新功能，人们每年都会购买新产品。

这些电子产品的共同特征之一是采用无线技术，而该技术极度依赖于RF射频电路。遗憾的是，即使是最自信的设计人员，对于射频电路也往往望而却步，因为它会带来巨大的设计挑战，并且需要专业的设计和分析工具。正因为如此，许多年来，PCB的射频部分一直是由拥有射频设计专长的独立设计人员完成设计。

<strong>为什么设计射频和微波 PCB 设计的难度如此之大？</strong>

该设计过程中出现的问题非常多，并且可能对质量和生产率造成严重影响。例如，将一名设计人员的射频电路嵌入到其他设计人员的PCB时，由于他们往往使用不同的设计格式，因此效率必然大打折扣。此外，设计人员还经常被迫在设计中做出更改，以便配合使用射频电路。由于仿真往往是在射频电路中进行的，而不是在整个PCB 的背景下进行，因此可能会遗漏电路板对射频电路产生的显著影响，反之亦然。

　射频标签的通信标准是标签芯片设计的依据，目前国际上与RFID相关的通信标准主要有：ISO/IEC18000标准(包括7个部分，涉及125KHz、13.56MHz、433MHz、860-960MHz、2.45GHz等频段)，ISO11785(低频)，ISO/IEC14443标准(13.56MHz)，ISO/IEC15693标准(13.56MHz)、EPC标准(包括Class0，Class1和GEN2等三种协议，涉及HF和UHF两种频段)，DSRC标准(欧洲ETC标准，含5.8GHz)。

　　现在按频率对一些常用标准做一些简单介绍(并附带介绍一下接触式IC卡的协议标准)：

<font color="#FF8000">作者:Barry Manz, Mouser Electronics </font>

氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色！帅呆了！

至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN：硅基、碳化硅（SiC）衬底或者金刚石衬底。

硅基氮化嫁：这种方法比另外两种良率都低，不过它的优势是可以使用全球低成本、大尺寸CMOS硅晶圆和大量射频硅代工厂。因此，它很快就会以价格为竞争优势对抗现有硅和砷化镓技术，理所当然会威胁它们根深蒂固的市场。

碳化硅衬底氮化镓：这是射频氮化镓的“高端”版本，SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓产品，可提供其他出色特性，可确保其在最苛刻的环境下使用。