5nm及更先进节点上FinFET的未来：使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能 winniewei / 周四, 5 五月 2022 - 14:37 虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗，但在5nm及更先进节点上，兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。 阅读更多 关于 5nm及更先进节点上FinFET的未来：使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能登录 发表评论
泛林集团的选择性刻蚀设备组合正在推进芯片行业下一个重要的技术拐点 winniewei / 周一, 28 二月 2022 - 13:37 使用3D架构来支持先进逻辑和存储器应用代表了半导体行业下一个重要的技术拐点。非易失性存储首先实现了这一技术拐点，泛林集团的刻蚀和沉积工具持续走在这一创新的前沿。 阅读更多 关于 泛林集团的选择性刻蚀设备组合正在推进芯片行业下一个重要的技术拐点登录 发表评论
泛林集团推出开创性的选择性刻蚀设备组合，以加速芯片制造商的 3D 路线图 winniewei / 周四, 10 二月 2022 - 10:22 新产品组合凭借创新的刻蚀技术和化学成分在竞争中脱颖而出，以支持先进逻辑和存储器解决方案的开发 阅读更多 关于 泛林集团推出开创性的选择性刻蚀设备组合，以加速芯片制造商的 3D 路线图登录 发表评论
智能刻蚀带来突破性的生产力提升 winniewei / 周一, 24 一月 2022 - 11:06 Sense.i为刻蚀技术的未来设定步伐 阅读更多 关于 智能刻蚀带来突破性的生产力提升登录 发表评论
干货 | 高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图 winniewei / 周一, 10 一月 2022 - 13:31 随着市场需求推动存储器技术向更高密度、更优性能、新材料、3D堆栈、高深宽比 (HAR) 刻蚀和极紫外 (EUV) 光刻发展，泛林集团正在探索未来三到五年生产可能面临的挑战，以经济的成本为晶圆厂提供解决方案。 阅读更多 关于 干货 | 高深宽比刻蚀和纳米级图形化推进存储器的路线图登录 发表评论
Syndion® GP：赋能先进功率器件的未来 winniewei / 周一, 20 十二月 2021 - 11:47 近日，泛林集团发布了Syndion G系列产品的新成员——全新Syndion® GP。在本篇文章中，泛林集团客户支持事业部Reliant系统产品副总裁Evan Patton将为大家讲述该产品的开发背景。 阅读更多 关于 Syndion® GP：赋能先进功率器件的未来登录 发表评论
泛林集团发布Syndion GP，满足芯片制造商对先进功率器件的需求 winniewei / 周四, 9 十二月 2021 - 11:04 进一步扩大公司在深硅刻蚀技术领域的领先优势，新的半导体制造方案支持用于汽车与智能技术的芯片开发 阅读更多 关于 泛林集团发布Syndion GP，满足芯片制造商对先进功率器件的需求登录 发表评论
干货 | 加速特征相关(FD)干法刻蚀的工艺发展 winniewei / 周一, 15 十一月 2021 - 11:16 在本文中，我们将论述如何通过在SEMulator3D®中使用可视性刻蚀建模来弥补干法刻蚀这一方面的不足。 阅读更多 关于 干货 | 加速特征相关(FD)干法刻蚀的工艺发展登录 发表评论
泛林集团亮相第四届中国国际进口博览会：迸发创新力量，共筑美好未来 winniewei / 周五, 5 十一月 2021 - 16:57 今日，全球领先的半导体创新晶圆制造设备及服务供应商泛林集团携全新的品牌形象及突破性技术亮相第四届中国国际进口博览会。 阅读更多 关于 泛林集团亮相第四届中国国际进口博览会：迸发创新力量，共筑美好未来登录 发表评论
特种技术——芯片改变我们的生活 winniewei / 周一, 18 十月 2021 - 16:50 材料创新驱动了人类文明的重大进步，作为一名材料工程师，我对这一点感到非常自豪。石器时代、青铜时代和铁器时代都是人类发展至今的重要阶段。 阅读更多 关于 特种技术——芯片改变我们的生活登录 发表评论