<strong>序言</strong>
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1）。
<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2018-03/wen_zhang_/100010826-37992-r1.j…; alt=“图1：下管IGBT因为寄生米勒电容而引起导通”></center><center><i>图1：下管IGBT因为寄生米勒电容而引起导通</i></center>
<strong>寄生米勒电容引起的导通</strong>
![http://mouser.eetrend.com/files/2018-03/wen_zhang_/100010826-37992-r1.j…](http://mouser.eetrend.com/files/2018-03/wen_zhang_/100010826-37992-r1.jpg"){kind=link}