我们发布了射频芯片测试重要性的文章后<strong><font color="#FF0000"><a href="http://mouser.eetrend.com/content/2018/100012312.html">插入损耗、隔离度、开关时间、谐波……哪个是射频开关测试痛点？</a></font> </strong>就有粉丝在后台问，在射频芯片测试中一头雾水，能不能具体讲解下各个测试项目？小编正有此意，今天先跟大家讲解下插入损耗、隔离度和驻波比这三个非常重要的射频芯片测试项目。

<strong>1、插入损耗Insertion Loss</strong>

对于很多射频无源器件来说，插入损耗是其中一个关键的测试项目。在一个系统之中，由于某个器件的插入而发生的功率的损耗便是插入损耗，通常插入损耗由dB来表示。

也许大家已经注意到，随着无线设备复杂性急剧增加，手机支持的频段数量也在不断增加。从最开始的2个GSM频段，到现在的4个GSM频段，3个CDMA频段，5个UMTS频段和10个LTE频段。未来，诸如5G New Radio等标准将继续增加无线设备的复杂性。开关是射频前端模块（RF FEM）切换多个频段的关键元件，所以，我们今天要讨论的话题就是射频开关测试方法

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2018-07/wen_zhang_/100012312-43734-n1.j…; alt=“典型射频前端模块”></center><center><i>典型射频前端模块</i></center>

<strong>关于射频开关，这些你知道吗？</strong>

在一个典型的射频前端模块中，包括功率放大器（PA）、低噪放大器（LNA），多路器，收发开关和天线开关等。