英飞凌针对 800 VDC 架构AI数据中心推出基于CoolGaN™的高压 IBC 参考设计
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出两款全新高压中间总线转换器（HV IBC）参考设计，帮助客户加速向±400 V和800 V直流（VDC）供电的AI服务器电源架构转型。
CoolGaN
英飞凌推出集成式半桥解决方案CoolGaN™ Drive HB 600 V G5，进一步提升氮化镓的易用性
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出CoolGaN™ Drive HB 600 V G5产品系列，进一步扩大了其CoolGaN™产品组合。
英飞凌 XDP™ 混合反激式控制器与 CoolGaN™ 技术赋能安克业界领先的 160W Prime 充电器
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司宣布与领先的快充电源设备制造商安克（Anker）扩大合作，共同开发新一代高速充电器，实现高达 160W 功率的输出，同时保持紧凑、便携的口袋级尺寸。
英飞凌 CoolGaN™技术助力提升环隆科技PoE以太网供电器应用的电源性能
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司为环隆科技股份有限公司（UMEC）提供CoolGaN™功率晶体管，应用于其新型250 W网络以太网供电（PoE）适配器。
英飞凌推出650 V CoolGaN™ G5双向开关，提升功率系统的效率和可靠性
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650 V CoolGaN™ G5双向开关（BDS）。
英飞凌 CoolGaN™ 功率晶体管赋能SounDigital放大器，更小尺寸、更高保真
SounDigital在其全新1500 W D类放大器中集成了英飞凌科技股份公司的 CoolGaN™晶体管，支持800 kHz开关频率和五个通道，借助英飞凌先进的氮化镓（GaN）技术，将其能效提升了 5%，能量损耗降低了 60%。
升级电源和机架架构，满足AI服务器的需求
英飞凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM产品非常适用于应对数据中心机架和电源供应单元（PSU）电力需求增长所需的新架构和AC-DC配电配置。
英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出全新CoolGaN™晶体管700 V G4产品系列。
英飞凌发布采用8英寸晶圆代工工艺制造的新一代CoolGaN晶体管系列
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出新一代高压（HV）和中压（MV）CoolGaNTM半导体器件系列。这使客户能够将氮化镓（GaN）的应用范围扩大到40 V至700 V电压，进一步推动数字化和低碳化进程。
英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense，提高功率系统的性能和成本效益
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）近日推出两项全新的CoolGaN™产品技术：CoolGaN™双向开关（BDS）和CoolGaN™ Smart Sense。