大为创芯:DRAM Q3有望反弹,但NAND Flash反弹有难度 judy / 周一, 24 四月 2023 - 17:33 当一个市场处于下行趋势时,需要有新的刺激,才能改变市场的走势,在经历近一年大幅下跌之后 ,有哪些行业将给存储产业注入新的活力 阅读更多 关于 大为创芯:DRAM Q3有望反弹,但NAND Flash反弹有难度登录或注册以发表评论
【原创】大为创芯:DRAM Q3有望反弹,但NAND Flash反弹有难度 winniewei / 周一, 24 四月 2023 - 17:30 当一个市场处于下行趋势时,需要有新的刺激,才能改变市场的走势,在经历近一年大幅下跌之后 ,有哪些行业将给存储产业注入新的活力,改变其走势呢? 阅读更多 关于 【原创】大为创芯:DRAM Q3有望反弹,但NAND Flash反弹有难度登录或注册以发表评论
AMD 谈论堆叠计算和 DRAM judy / 周一, 27 二月 2023 - 15:55 在 ISSCC 2023 上,AMD首席执行官 Lisa Su 博士讨论了堆叠组件以及为什么需要先进的封装来实现未来的 Zettascale 计算 阅读更多 关于 AMD 谈论堆叠计算和 DRAM登录或注册以发表评论
SK海力士推出全球超快移动DRAM——LPDDR5T judy / 周五, 3 二月 2023 - 10:46 本次产品的速度比现有产品快13%,运行速度高达9.6Gbps(Gb/s) 阅读更多 关于 SK海力士推出全球超快移动DRAM——LPDDR5T登录或注册以发表评论
三星电子推出首款12纳米级DDR5 DRAM judy / 周四, 22 十二月 2022 - 11:06 三星电子新款DRAM将于2023年开始量产,以优异的性能和更高的能效,推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展 阅读更多 关于 三星电子推出首款12纳米级DDR5 DRAM登录或注册以发表评论
BRAM和DRAM的区别 由 judy 提交于 周二, 15 十一月 2022 - 16:12 Xilinx的FPGA开发板可以直接调用RAM,其中包括了BRAM和DRAM。 阅读更多 关于 BRAM和DRAM的区别登录或注册以发表评论
SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革 judy / 周一, 14 十一月 2022 - 14:55 由于传统微缩(scaling)技术系统的限制,DRAM的性能被要求不断提高,而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案 阅读更多 关于 SK海力士引领High-k/Metal Gate工艺变革登录或注册以发表评论
美光出货全球最先进的1β技术节点DRAM winniewei / 周三, 2 十一月 2022 - 11:50 前沿的制程技术使LPDDR5X如虎添翼,现已向移动生态系统出样 阅读更多 关于 美光出货全球最先进的1β技术节点DRAM登录或注册以发表评论
8.5 Gbps!三星LPDDR5X DRAM运行速度创新高 judy / 周二, 18 十月 2022 - 10:30 三星最新的LPDDR5X内存已通过验证,可在骁龙移动平台上使用,该内存速度可达到当前业界最快的8.5 千兆比特每秒(Gbps) 阅读更多 关于 8.5 Gbps!三星LPDDR5X DRAM运行速度创新高登录或注册以发表评论
SPARC:用于先进逻辑和 DRAM 的全新沉积技术 judy / 周日, 9 十月 2022 - 09:55 芯片已经无处不在:从手机和汽车到人工智能的云服务器,所有这些的每一次更新换代都在变得更快速、更智能、更强大。 阅读更多 关于 SPARC:用于先进逻辑和 DRAM 的全新沉积技术登录或注册以发表评论