跳转到主要内容

FinFET

5nm及更先进节点上FinFET的未来:使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能

winniewei /
虽然栅极间距(GP)和鳍片间距(FP)的微缩持续为FinFET平台带来更高的性能和更低的功耗,但在5nm及更先进节点上,兼顾寄生电容电阻的控制和实现更高的晶体管性能变得更具挑战。