GAA

在全球半导体行业迈向万亿美元市场规模的道路上，晶圆代工作为关键的产业环节，正经历着前所未有的机遇与挑战。人工智能（AI）、高性能计算（HPC）和汽车电子等领域的爆发式增长，对芯片的性能、功耗和成本提出了多元化且苛刻的要求。

新思科技近日宣布，其Fusion Design Platform™已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统（SoC）一次性成功流片，验证了下一代3纳米（nm）环绕式栅极（GAA）工艺技术在功耗、性能和面积（PPA）方面的优势。

新思科技近日宣布，其Fusion Design Platform™已支持三星晶圆厂实现一款先进高性能多子系统片上系统（SoC）一次性成功流片，验证了下一代3纳米（nm）环绕式栅极（GAA）工艺技术在功耗、性能和面积（PPA）方面的优势。

西门子近日宣布，其业界领先的模拟/混合信号（AMS）电路验证工具现可用于三星Foundry 3nm 环绕栅极 （GAA）工艺技术。