新的IC制程开发与商用化(特别是有些突破的类型)，对我来说，似乎总会像组件技术出现一样奇妙又神秘的结束。 没错，的确也存在智能的电路、架构与拓扑，但构思一种新制程以及使其实现甚至能够导入制造——符合现实所要求的一切——似乎还需要极度仰赖物理法则、材料科学与量子理论等。 不仅如此，在你推动该新制程技术进展后，还必须提出设计原则与模块，让IC设计人员与生产流程能够实际利用。

目前大部份的制程都利用硅(Si)作为基板(摩尔定律)，为特定应用带来像绝缘层上覆硅(SOI)或蓝宝石基底上硅(SOS)等制程变化。 这并不难理解：自从硅在1960与1970年代取代锗(Ge)成为半导体材料新选择后，多年来已经过各种程度与许多面向的研究、分析与了解了。 硅不仅拥有不规则的电性能，还具备有利于MEMS设计的卓越机械性能，而且还是相当容易取得的材料。 它让工程师以及甚至非技术专精者都能取得巨大的成果，「硅」因而经常用来作为「芯片」与IC的代名词。

<font color="#FF8000">作者:Barry Manz, Mouser Electronics </font>

氮化镓(GaN)这种宽带隙材料将引领射频功率器件新发展并将砷化镓(GaAs)和LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)器件变成昨日黄花？看到一些媒体文章、研究论文、分析报告和企业宣传文档后你当然会这样认为，毕竟，GaN比一般材料有高10倍的功率密度，而且有更高的工作电压(减少了阻抗变换损耗)，更高的效率并且能够在高频高带宽下大功率射频输出，这就是GaN，无论是在硅基、碳化硅衬底甚至是金刚石衬底的每个应用都表现出色！帅呆了！

至少现在看是这样，让我们回顾下不同衬底风格的GaN：硅基、碳化硅（SiC）衬底或者金刚石衬底。

硅基氮化嫁：这种方法比另外两种良率都低，不过它的优势是可以使用全球低成本、大尺寸CMOS硅晶圆和大量射频硅代工厂。因此，它很快就会以价格为竞争优势对抗现有硅和砷化镓技术，理所当然会威胁它们根深蒂固的市场。

碳化硅衬底氮化镓：这是射频氮化镓的“高端”版本，SiC衬底氮化镓可以提供最高功率级别的氮化镓产品，可提供其他出色特性，可确保其在最苛刻的环境下使用。

贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开始分销Panasonic氮化镓（GaN）解决方案。为满足现代电源的效率和功率密度设计需要，设计工程师一直在寻找GaN技术等可替代传统MOS技术的方案，以节省能源、降低各种工业和消费电力交换系统的尺寸。Panasonic的GaN 解决方案包括功率晶体管、栅极驱动器和评估板，可降低各种电源应用的能量损耗，例如电源、太阳能逆变器、发动机驱动器、电动汽车 (EV) 等。

Mouser现在备货的氮化镓（GaN）解决方案在具有高击穿电压和低导通电阻的硅衬底上使用复合材料GaN，相较于传统硅器件开关速度更高，更易微型化。PGA26E19BA GaN表面贴装 (SMD) 功率晶体管是一个带有600V击穿电压的增强型常关电源开关。即将上市（Mouser备货）的 PGA26C09DV GaN功率晶体管采用TO-220封装，击穿电压同样为600V，可防止电流崩塌。两款器件都具有零恢复损耗，并采用松下专有的栅极注入晶体管(GIT)技术，可实现低导通电阻。GIT技术亦可防止因高电压下导通电阻持续增加而引起的电流崩塌， 确保器件安全工作。