突破传统!AOS GTPAK顶部散热MOSFET的创新设计 winniewei / 周四, 19 六月 2025 - 11:40 针对工业及大电流应用对功率需求的不断提升,AOS推出创新型GTPAK功率MOSFET封装方案。该封装采用顶部散热技术,通过大面积裸露焊盘将热量高效传导至散热片,显著提升功率密度和散热效率,相比传统PCB底部散热方式具有明显优势。 阅读更多 关于 突破传统!AOS GTPAK顶部散热MOSFET的创新设计登录或注册以发表评论