铠侠宣布用于氧化物半导体的DRAM内存的OCTRAM技术 judy / 周五, 27 十二月 2024 - 10:27 OCTRAM采用圆柱形InGaZnO垂直晶体管作为单元晶体管。这种设计能够适配4F² DRAM，与传统的硅基6F² DRAM相比，4F² DRAM在存储密度方面具有显著优势。 阅读更多 关于 铠侠宣布用于氧化物半导体的DRAM内存的OCTRAM技术登录或注册以发表评论
Kioxia开发出OCTRAM（氧化物半导体通道晶体管DRAM）技术 winniewei / 周三, 11 十二月 2024 - 16:47 存储器解决方案领域的全球领导者Kioxia Corporation今天宣布开发出OCTRAM（氧化物半导体通道晶体管DRAM），这种新型4F2 DRAM由同时具有高导通电流和超低关断电流的氧化物半导体晶体管组成。 阅读更多 关于 Kioxia开发出OCTRAM（氧化物半导体通道晶体管DRAM）技术登录或注册以发表评论