SiC-MOSFET

本文介绍的内容是电源电路中常用的缓冲电路的组成元器件和常数。这里的缓冲电路不仅用于本文中的准谐振转换器，还用于其他文章中提到的反激式转换器。

<strong>什么是缓冲电路</strong>

缓冲电路是抑制浪涌的电路。在本例中是为了抑制输入浪涌而设置在输入端，其实也可用于输出端。由于输入连接于变压器的一次侧，所以受变压器的漏电感影响，当MOSFET从ON变为OFF的瞬间，将产生较大的浪涌电压（尖峰噪声）。这种浪涌电压施加在MOSFET的漏极－源极之间，因此如果产生的浪涌电压超过MOSFET的耐压，可能会造成MOSFET损坏。为了防止MOSFET损坏，插入由RCD（电阻、电容、二极管）组成的缓冲电路以抑制浪涌电压。由于大多数情况下都会产生这种浪涌，因此建议在设计之初就设置缓冲电路。

缓冲电路：Rsnubber1、Csnubber1及D13、D14、D15、D16

在本例中使用的缓冲电路，由电阻Rsnubber1、电容Csnubber1以及二极管D13、D14、D15、D16组成，只要去掉D15和D16就是典型的RCD缓冲电路。首先来确定钳位电压和钳位纹波电压，并按R、C、D的顺序确定常数。

<strong>1、SiC材料的物性和特征</strong>

SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，热导率是Si的3倍，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多种晶型，它们的物性值也各不相同。其中，4H-SiC最合适用于功率器件制作。另外，SiC是唯一能够热氧化形成SiO2的化合物半导体，所以适合制备MOS型功率器件。

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<strong>2、功率器件的特征</strong>