革新ZVS软开关技术,Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能 cathy / 周四, 25 七月 2024 - 10:56 开关损耗一直是影响电力电子设备性能的关键因素之一,也成了人们对高效率追求路上的拦路虎。 阅读更多 关于 革新ZVS软开关技术,Qorvo SiC FET解锁高效率应用潜能登录或注册以发表评论
【资料下载】采用数字斜率补偿的峰值电流控制ZVS全桥转换器 cathy / 周一, 22 十月 2018 - 14:41 摘要 阅读更多 关于 【资料下载】采用数字斜率补偿的峰值电流控制ZVS全桥转换器登录或注册以发表评论
MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响 cathy / 周五, 17 八月 2018 - 10:04 LLC的优势之一就是能够在比较宽的负载范围内实现原边MOSFET的零电压开通(ZVS),MOSFET的开通损耗理论上就降为零了。要保证LLC原边MOSFET的ZVS,需要满足以下三个基本条件: 1)上下开关管50%占空比,1800对称的驱动电压波形; 2)感性谐振腔并有足够的感性电流; 3)要有足够的死区时间维持ZVS。 阅读更多 关于 MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响登录或注册以发表评论