本周，我们的用途广泛的InnoSwitch3-EP开关IC产品系列迎来了一批新成员，这些器件采用碳化硅(SiC)初级开关MOSFET和集成控制器。这些耐压1700V的器件适用于工业类应用，可取代分立的控制器加MOSFET设计，节省空间、时间和成本，同时提高在新能源、工业电机驱动、电池储能和电表等应用中的可靠性。
基于碳化硅(SiC)的InnoSwitch3-EP IC可提供高达70W的输出功率，同时将实现电源所需的元件数量减少高达50%。新器件内部还集成同步整流和准谐振(QR)/CCM反激式控制器，可实现90%以上的效率，并使空载功耗小于15mW。
InnoSwitch3-EP产品系列器件采用超薄InSOP-24D封装，现在有高性价比硅器件、高效率氮化镓(GaN)器件和高压SiC晶体管可供选择，可帮助设计工程师在广泛的应用中优化其功率解决方案。
InnoSwitch3-EP IC使用FluxLink反馈链路，可为次级侧控制提供高达5000VRMS的加强绝缘。 FluxLink技术可直接检测输出电压，其优势在于可提供高精度的控制以及极其快速的动态响应特性。 其他保护功能包括输入欠压保护、输出过压保护和过流限制。
我们同步推出一份新的设计范例报告(DER-913)，展示如何使用耐压1700V的InnoSwitch3-EP器件在35W高压电源中实现极高的集成度。 如需了解更多信息，请下载InnoSwitch3-EP数据手册。
