SiC

• 成功开发450V-2300V SiC平面MOSFET工艺平台，确保高可靠性与良率竞争力

全新发布的3300V / 2300V GeneSiC™ 碳化硅产品基于最新沟槽辅助平面栅技术 Trench-Assisted Planar（TAP）与先进封装，实现 AI 数据中心、电网与能源基础设施及工业电气化系统的更高效率与更长寿命，包括储能、可再生能源与兆瓦级快充等关键应用。

近期，中国领先的碳化硅(SiC)功率器件与IC解决方案供应商——瞻芯电子开发的首批第3代1200V SiC 35mΩ MOSFET产品，凭借优秀的性能与品质赢得多家重要客户订单，已量产交付近200万颗，为应用系统提供高效、可靠的解决方案。

中恒微推出Light EU封装的SiC功率模块，性能对标国际一线品牌。产品使用新一代平面栅SiC MOSFET 芯片、先进的插针工艺，内部集成具有负温度系数的热敏电阻NTC，并结合低热阻的AI2O3衬底，具有出色的可靠性、散热能力以及低导通电阻等特性，可替换市场同类型模块。

在减少排放和实现净零目标的前进道路上，碳化硅技术将在可持续发展应用中发挥关键作用。这些应用可以通过在系统中添加电力电子器件（例如电机驱动器）或增强现有系统中的电力电子器件以达到更高的电压并提高效率。

基于多个高功率应用案例，我们可以观察到功率模块与分立MOSFET并存的明显趋势，两者在10kW至50kW功率范围内存在显著重叠。虽然模块更适合这个区间，但分立MOSFET却能带来独特优势：设计自由度更高和更丰富的产品组合。

安森美 (onsemi) cascode FET （碳化硅共源共栅场效应晶体管）在硬开关和软开关应用中有诸多优势，本文将重点介绍Cascode结构。

据多家媒体报道，全球最大的SiC衬底制造商之一碳化硅（SiC）功率器件巨头Wolfspeed公司正计划在未来数周内申请破产保护，主要原因是Wolfspeed目前面临巨大的债务压力，其总债务高达65亿美元，其中包括阿波罗全球管理公司持有的15亿美元优先担保贷款。