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晶体管

Ampleon为5G NR和4G LTE宏基站应用提供紧凑型多级Doherty MMIC驱动器,借此扩展无隔离器的6GHz以下产品线

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埃赋隆半导体(Ampleon)利用先进的LDMOS晶体管技术,推出了B11G3338N80D推挽式3级全集成Doherty射频晶体管——该晶体管是GEN11 Macro驱动器系列的载体产品,涵盖所有6GHz以下频段。

科学家用锗生产最灵活自适应晶体管

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锗的特殊性质和专用编程栅电极的使用,使人们有可能为一种开创芯片技术新纪元的新元件制造出原型。据近日发表在美国化学学会《纳米杂志》上的研究,奥地利维也纳工业大学没有依靠硅基晶体管技术,而是利用锗生产出世界上最灵活的晶体管。

首创双层晶体管:索尼介绍全新的堆叠式CMOS图像传感器技术

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索尼半导体解决方案公司,已经成功开发出了全球首个采用双层晶体管像素技术的堆叠式 CMOS 图像传感器。据悉,传统方案需要将光电二极管和像素晶体管置于同一基板,而索尼新技术将两者分离放置在了不同的基板层上。

为增强模拟LSI和晶体管的产能,罗姆集团马来西亚工厂投建新厂房

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全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)和罗姆和光株式会社(总部位于日本冈山县)决定在马来西亚的子公司ROHM-Wako Electronics (Malaysia) Sdn. Bhd. 投建新厂房,以增强市场需求日益增长的模拟LSI和晶体管的产能。

新型高效光学“晶体管”有望让计算速度提升1000倍

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由斯科尔沃(Skoltech)和 IBM 带领的一支国际研究团队,刚刚打造了一种极其节能的“光开关”(Optical Switch)。得益于对光子的操纵能力,其致力于取代传统计算机上的电子晶体管。除了省电和无需额外冷却,其速度还提升到了每秒 1 万亿次,较当前顶级商用晶体管领先 100~1000 倍。

特斯拉D1 AI芯片细节盘点:500亿晶体管、400W热设计功耗

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近日的特斯拉AI日活动上,特斯拉公布了最新的AI训练芯片“D1”,规模庞大,令人称奇。该芯片采用台积电7nm工艺制造,核心面积达645平方毫米,仅次于NVIDIA Ampere架构的超级计算核心A100(826平方毫米)、AMD CDNA2架构的下代计算核心Arcturus(750平方毫米左右),集成了多达500亿个晶体管,相当于Intel Ponte Vecchio计算芯片的一半。

天才少年在家自制芯片:10微米的多晶硅栅极工艺上装100个晶体管

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Sam Zeloof 已经不能用简单的“天才少年”来形容了。在 2018 年的时候,他还只是一名高三的学生,他制作了首个自制(平版印刷)的集成电路,拥有 6 个晶体管,他将其命名为“Z1”。现在,他在家中又制造了一个更复杂的第二代产品。