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晶体管

手把手教你用晶体管搭建逻辑门电路

cathy /

常见的晶体管有二极管、三极管和MOS管，主要的逻辑门电路：与门、或门、非门、与非门、或非门、异或门等，这篇文章介绍用晶体管搭建常见的逻辑门电路。

废话不多说，直接上图。

<strong>1. 二极管</strong>

① 二极管与门

用两个二极管组成的与门，A和B都为高电平时，Y才为高电平。

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用1个二极管和1个电阻也可以组成与门。

8张图让你彻底理解晶体管开关电路

cathy /

晶体管（三极管）的功能之一就是作为开关，利用其截止特性，实现开关功能。但是很多人并不能很好的理解三极管的开关功能。下面以8个实例图片，生动的阐述三极管作为开关的功能。

<strong>1、低边开关</strong>

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<strong>2、高边开关</strong>

关于模拟电路，你了解多少？（四）

由 526095766_642 提交于

<strong>二极管</strong>

以硅（或锗）作为基板，将掺杂了磷和砷的Negative 型半导体（电子不足，空穴较多）和掺杂了硼和镓的Positive 型半导体（电子多余）结合在一起，就称为二极管（PN 结）。

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二极管具有单向导电性（单向导通），因此具备整流作用，即让电流只朝一个方向运动。

【资料下载】《新概念模拟电路》——晶体管

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《新概念模拟电路》全书共五册，近50万字，今天上线的是该系列第一本——《晶体管》。

正如杨教授所言："晶体管对世界的改变，已经持续了几十年，但是这种改变，还远远没有结束。"是的，从几个影响人类半导体科技进程的历史故事，到双极性晶体管与场效应管的工作原理及其在模拟电子领域典型应用的讲解，杨教授都讲的十分生动透彻。

与杨教授一起揭开新概念模拟电路的篇章，进入模拟电路的魔法世界。

【技术干货】电路入门：关于二极管、晶体管、FET你了解多少呢？

由 cathy 提交于

上次我们学习了无源元件，今天我们接着来复习一下半导体以及使用了半导体的有源元件-二极管、晶体管、FET。

<strong><font color="#FF0000"> 相关阅读：</font></strong>
<a href="http://mouser.eetrend.com/blog/2018/100016423.html"&gt;【技术干货】电路入门：关于无源元件你了解多少呢？</a>

<strong>导电能力介于导体与绝缘体之间的物质 - 半导体</strong>

硅和锗是位于银、铝等导体和石英、陶瓷等绝缘体之间，用于制造半导体器件的原材料，具有一定电阻率。不同的物质其产生的不同电阻率是由于可移动的电子量不同引起的。这种可移动电子叫“自由电子”。一般我们把可以通过向其摻入杂质来改变自由电子的数量，并可控制电流动的物质称为半导体。
根据电流流动的构造，可将半导体分为N型和P型两类。

晶体管单管大电路三种基本接法比较

cathy /

在电子电路中，放大的对象是变化量，放大的本质是在输入信号的作用下，通过有源元件（晶体管或场效应管）对直流电源的能量进行控制和转换，使负载从电源中获得的输出信号能量比信号源向放大电路提供的能量大的多。晶体管放大电路有共射、共集、共基三种接法，场效应管有共源、共漏接法（与晶体管放大电路共射、共集接法相对应）。以下通过3个主要性能（放大倍数A、输入电阻Ri、输出电阻Ro）指标对晶体管三种基本接法进行比较。<strong>基本共射放大电路：</strong>

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<strong>交流通路： 微变信号等效电路：</strong>

【视频】什么时候用MOS ？什么时候用IGBT ？

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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR（电力晶体管）的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

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自1980年代中期以来，MOSFET一直是大多数开关电源（SMPS）首选的晶体管技术。当用作门控整流器时，MOSFET是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。

对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal Solution for Energy Transfer）的缩写。对工程师来说，它代表金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。

由于具有较低的导通电阻（R<sub>DS(on)</sub>）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道MOSFET或N沟道MOSFET作为主开关。同步整流器应用几乎总是使用N沟道技术，这主要是因为N沟道的R<sub>DS(on)</sub>小于P沟道的，并且通过在栅极上施加正电压导通。

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