不要什么地方都用0.1μF电容
1.开关电源基本工作原理
滤波电容在开关电源中起着非常重要的作用,如何正确选择滤波电容,尤其是输出滤波电容的选择则是每个工程技术人员都十分关心的问题。我们在电源滤波电路上可以看到各种各样的电容,100uF,10uF,100nF,10nF不同的容值,那么这些参数是如何确定的?
1.开关电源基本工作原理
滤波电容在开关电源中起着非常重要的作用,如何正确选择滤波电容,尤其是输出滤波电容的选择则是每个工程技术人员都十分关心的问题。我们在电源滤波电路上可以看到各种各样的电容,100uF,10uF,100nF,10nF不同的容值,那么这些参数是如何确定的?
我们都知道电容是电路中使用量最多的器件,我们经常接触的电容是陶瓷电容、铝电解电容、钽电解电容。我们电路设计越来越多的是以MCU、CPU为核心的数字电路设计,周边的时钟、电源电路。所以我们以这三种电容为主。
因为数字电路,所以有大量的数字电路输出的“0”“1”翻转导致,需要大量的去耦电容。
图中开关Q的不同位置代表了输出的“0”“1”两种状态。
假定由于电路状态装换,开关Q接通RL低电平,负载电容对地放电,随着负载电容电压下降,它积累的电荷流向地,在接地回路上形成一个大的电流浪涌。
随着放电电流建立然后衰减,这一电流变化作用于接地引脚的电感LG,这样在芯片外的电路板“地”与芯片内的地之间,会形成一定的电压差,如图中VG。同样的对于电源端,每次信号翻转,都会引入了电压差。
当N多的翻转出现的时候,我们需要运用去耦电容,去耦电容可以防止这种噪声向外传播,所以我们放一些电容靠近器件的电源管脚。
电容击穿的概念
电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的,当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电,就破坏了绝缘性能,这一现象称为电介质的击穿。
电容器被击穿的条件
电容器被击穿的条件达到击穿电压。
以前有写过一篇文章“晶振”简单介绍了晶振的一些简单参数,今天我们来说下无源晶振的匹配电容计算方法:
如上图,是常见的的无源晶振常见接法,而今天来说到就是这种常见电路的电容计算方法,有两种:
A,知道晶振的负载电容Cload,需要计算Ce1与Ce2;
B,某些IC有推荐Ce1与Ce2,那么需要去求晶振的Cload,然后再去找对应的物料。
方法A:
如上图:Ce1=Ce2=2*[Cl-(Cs+Ci)]
输入侧的电解电容计算
我们一般按照在最低输入电压下,最大输出的情况下,要求电解电容上的纹波电压低于多少个百分点来计算。当然,如果有保持时间的要求,那么需要按照保持时间的要求重新计算,二者之中,取大的值。
电容
作为重要的无源元件,应用十分广泛。本文将介绍电容应用于电源电路,实现旁路、去耦、滤波和储能方面电容的作用,以及电容应用于信号电路,完成耦合、振荡/同步及时间常数的作用详解。
作为无源元件之一的电容,其作用不外乎以下几种:
电容应用于电源电路,实现滤波、旁路、去耦和储能方面电容的作用:
1、滤波
滤波是电容的作用中很重要的一部分,几乎所有的电源电路中都会用到。从理论上(即假设电容为纯电容)说,电容越大,阻抗越小,通过的频率也越高。但实际上超过1uF的电容大多为电解电容,有很大的电感成份,所以频率高后反而阻抗会增大。
有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容,这时大电容通低频,小电容通高频。电容的作用就是通高阻低,通高频阻低频。电容越大低频越容易通过,电容越大高频越容易通过。具体用在滤波中,大电容(1000uF)滤低频,小电容(20pF)滤高频。
图1显示了组成一个电容器的基本寄生,由等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)组成,并且以曲线图呈现出三种电容器(陶瓷电容器、铝质电解电容器和铝聚合物电容器)的阻抗与频率之间的关系。
一、钽电容
钽电容是一种体积小而又能达到较大电容值的产品,是1956年由美国贝尔实验室首先研制成功的,性能优异。钽电容器外形多种多样,往往会制成适于表面贴装的小型和片型元件。其不仅在军事通讯、航天等领域应用,而且钽电容的应用范围还在向工业控制、影视设备和通讯仪表等产品中扩展。
电容器主要用于交流电路及脉冲电路中,在直流电路中电容器一般起隔断直流的作用。电容既不产生也不消耗能量,是储能元件。
电容器在电力系统中是提高功率因数的重要器件;在电子电路中是获得振荡、滤波、相移、旁路、耦合等作用的主要元件。
一、电容的重要性
电容是较常用的一种电子元器件,基本上每个电路都会用到,用于滤波、延迟、耦合、谐振等电路,那么电容为什么会出现电解液泄漏甚至爆浆呢?
二、电容爆浆原因解析
电容爆浆的原因其实有很多,比如电流大于允许的稳波电流、使用电压超出工作电压、逆向电压或频繁充放电等。