专为AI服务器电源优化 | 25V/80V MOSFET双面散热源极朝下封装
新款 MOSFET 专为满足高功率密度及增强型散热应用而设计，采用 DFN 3.3x3.3 双面散热、源极朝下（Source-down）封装，并集成了创新的栅极中置布局技术，能够有效简化 PCB 走线设计，提升系统布板灵活性与电气性能。
MOSFET
SK keyfoundry成功开发450V-2300V SiC平面MOSFET工艺平台，斩获1200V新品订单，正式开启SiC业务全面布局
成功开发450V-2300V SiC平面MOSFET工艺平台，确保高可靠性与良率竞争力
αMOS E2™ 600V 超结MOSFET平台：满足新一代电源管理与高效能应用的需求
日前，集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha and Omega Semiconductor Limited （AOS, 纳斯达克代码:AOSL)推出其全新的 aMOS E2™ 600V 超结MOSFET平台。
为智能健身注入高效动能｜萨瑞微电子SR45C03PS MOSFET 助力电机驱动与电源管理
在现代智能健身器材中，高效、静音、可靠的电机驱动与电源管理是关键体验所在。江西萨瑞微电子推出的 SR45C03PS N&P 沟道增强型MOSFET，凭借其低内阻、高散热、快速响应等特性，成为跑步机、动感单车、划船机、
ROHM车载40V/60V MOSFET产品阵容中新增高可靠性小型新封装产品
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产品。
长晶科技推出新一代SGT 30V MOSFET
长晶科技重磅推出新一代 SGT Gen2.0工艺。在30V电压平台，与Gen1.0相比，Fom值可降低50%，超同期欧美系水平12.5%；相比上一代，Rsp值可降低41.6%，超同期欧美系水平16.6%，系统损耗和温升得到大幅改善。
湖南静芯推出ESD增强型MOSFET ESP10N10K
湖南静芯推出耐压 (Vds) 为100V的ESD增强型MOSFET ESP10N10K，可应用于 DC-DC 转换、负载开关以及便携设备的电源管理等领域，完美匹配主流PoE功率级别。
Littelfuse推出采用SMPD-X封装的200 V、480 A超级结MOSFET
新型X4级器件在简化热设计，提高效率的同时减少了储能、充电、无人机和工业应用中零部件数量。
ROHM推出适用于AI服务器的宽SOA范围5 mm×6 mm小尺寸MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出实现业界超宽SOA范围的100V耐压功率MOSFET“RS7P200BM”。
英飞凌推出针对工业与消费类应用优化的OptiMOS™ 7 功率MOSFET
通过采用这种以具体应用场景为核心的设计理念，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司推出适用于工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列，进一步扩展其现有的OptiMOS™ 7汽车应用产品组合。