全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出基于成熟可靠750V CoolSiC™ G2技术平台打造的碳化硅（SiC）双向开关（BDS）。该产品采用垂直集成双芯片共漏极设计，采用顶部散热Q-DPAK封装，将两个功率开关整合到同一器件中，既简化了系统设计，也实现了传统拓扑革新。750V CoolSiC™ BDS可提供现代电网和能源系统所需的可靠性裕量，能够在应用的这个生命周期内实现极低的总体拥有成本。
英飞凌推出业界首款基于CoolSiC™ G2技术的碳化硅双向开关
750V CoolSiC™ BDS具备业界领先的RDS(on) × Qfr、优异的RDS(on) × QOSS，以及低Qg值，可有效降低开关损耗与导通损耗，实现超高速、高效的开关动作。在25℃条件下，典型栅阈值电压VGS(th)为4.5V，搭配超低Q GD/Q GS比值，可增强寄生导通抗扰性；扩展后的栅极偏压容限可支持-11V至25V瞬态电压，能够提升设计裕量并增强兼容性。该产品额定dv/dt可达200V/ns，可在不影响耐用性的前提下支持高频设计。该产品系列阻值覆盖范围为14mΩ至66mΩ。
该产品专为高要求的电源系统而设计，提供 840 V (BR)DSS，为超过 500 V 的母线电压时提供充足的裕量。此外，它还具有经验证的雪崩耐受性、100 小时内高达 200°C 的过载耐受能力和 2 µs 的短路耐受时间。这些器件能够有效保护系统，免受实际环境中电压浪涌、能量脉冲、瞬态应力以及浪涌电流的影响，确保系统能够长期稳定运行，并具备容错能力。
750V CoolSiC™ BDS扩展了英飞凌顶部散热产品家族，可适配当下要求最严苛、发展迅速的应用场景，支持原生液冷设计，通过拓扑层面的设计迭代，实现了全新的能效水平。
在汽车应用中，该产品非常适用于车载充电器（OBC）、电动汽车充电以及eFuse（电子保险丝）和预充电电路。与CoolSiC™ H-DPAK半桥器件配合使用，可帮助设计平顺过渡到基于SiC技术的单级车载充电器，让设计不仅兼具高功率密度和高成本效益，而且节省空间。
在工业应用领域，它为快速迭代的各类应用场景带来了革新：
配备原生液冷的HVDC AI电源
户用太阳能与储能系统
医院及现场数据中心的HVAC系统
适用于电动垂直起降飞行器（eVTOL）的电流源逆变器（CSI）驱动
电力及IT机架中的HVDC保护
人形机器人集群快速充电
供货情况
该产品已开始提供样品。更多信息，敬请访问：http://www.infineon.com/coolsic-750v-bds。
关于英飞凌
英飞凌科技股份公司是全球功率系统和物联网领域的半导体领导者。英飞凌以其产品和解决方案推动低碳化和数字化进程。该公司在全球拥有约57,000名员工（截至2025年9月底），在2025财年（截至9月30日）的营收约为147亿欧元。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的 OTCQX 国际场外交易市场上市（股票代码：IFNNY）。
英飞凌中国
英飞凌科技股份公司于1995年正式进入中国大陆市场。自1995年10月在无锡建立第一家企业以来，英飞凌的业务取得非常迅速的增长，在中国拥有约3,000多名员工，已经成为英飞凌全球业务发展的重要推动力。英飞凌在中国建立了涵盖生产、销售、市场、技术支持等在内的完整的产业链，并在销售、技术应用支持、人才培养等方面与国内领先的企业、高等院校开展了深入的合作。
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