功率MOS管的这五种损坏模式，你知道几种？

<strong>第一种：雪崩破坏</strong>

如果在漏极-源极间外加超出器件额定V_DSS的电涌电压，而且达到击穿电压V_(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。

在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。

典型电路：

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2019-07/wen_zhang_/100044146-74608-z1.p…; alt=“” width="600"></center>

<strong>第二种：器件发热损坏 </strong>

由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。

<strong>直流功率原因：外加直流功率而导致损耗引起的发热。</strong>

<ul>
<li>
<p>通电阻R_DS(on)损耗（高温时R_DS(on)增大，导致一定电流下，功耗增加）</p>
</li>
<li>
<p>由漏电流I_DSS引起的损耗（和其他损耗相比极小）</p>
</li>
</ul>

<strong>瞬态功率原因：外加单触发脉冲。</strong>

<ul>
<li>
<p>负载短路</p>
</li>
<li>
<p>开关损耗（接通、断开）（与温度和工作频率相关） </p>
</li>
<li>
<p>内置二极管的trr损耗（上下桥臂短路损耗）（与温度和工作频率相关）</p>
</li>
</ul>

器件正常运行时不会发生负载短路而引起过电流，造成瞬时局部发热而导致破坏。另外，由于热量不相配或开关频率太高使芯片不能正常散热时，持续的发热使温度超出沟道温度导致热击穿的破坏。

<strong>第三种：内置二极管破坏 </strong>

在DS端间构成的寄生二极管运行时，由于在Flyback时功率MOSFET的寄生双极晶体管运行，

导致此二极管破坏的模式。

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2019-07/wen_zhang_/100044146-74609-z2.p…; alt=“” width="600"></center>

<strong>第四种：由寄生振荡导致的破坏 </strong>

此破坏方式在并联时尤其容易发生。

在并联功率MOSFET时未插入栅极电阻而直接连接时发生的栅极寄生振荡。高频率反复接通、断开漏极—源极电压时，在由栅极—漏极电容Cgd（Crss）和栅极引脚电感Lg形成的谐振电路上发生此寄生振荡。当谐振条件（ωL=1/ωC）成立时，在栅极—源极间外加远远大于驱动电压Vgs（Vin）的振动电压，由于超出栅极—源极间额定电压导致栅极破坏，或者接通、断开漏极—源极间电压时的振动电压通过栅极—漏极电容Cgd和Vgs波形重叠导致正向反馈，因此可能会由于误动作引起振荡破坏。

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2019-07/wen_zhang_/100044146-74610-z3.p…; alt=“” width="600"></center>

<strong>第五种：栅极电涌、静电破坏</strong>

主要是在栅极和源极之间存在电压浪涌和静电而引起的破坏，即栅极过电压破坏和由上电状态中静电在GS两端（包括安装和和测定设备的带电）而导致的栅极破坏。

<center><img src="http://mouser.eetrend.com/files/2019-07/wen_zhang_/100044146-74611-z4.p…; alt=“” width="600"></center>

本文转载自：电源研发精英圈
免责声明：本文为转载文章，转载此文目的在于传递更多信息，版权归原作者所有。本文所用视频、图片、文字如涉及作品版权问题，请联系小编进行处理。

<strong><a href="http://www.mouser.cn/applications/&quot; style="color:red;">点击这里，获取更多关于应用和技术的有关信息</a></strong>
<strong><a href="https://www.mouser.cn/blog&quot; style="color:red;">点击这里，获取更多工程师博客的有关信息</a></strong>