英飞凌

近日，Flex Power Modules推出BMR310——一款非隔离式开关电容中间总线转换器（IBC），可为数据中心提供高功率密度供电，从而提高电路板空间利用率，为其他组件释放空间。

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）和松下公司签署协议，共同开发和生产第二代（Gen2）成熟的氮化镓（GaN）技术，提供更高的效率和功率密度水平。

9月27日，为期三天的深圳国际电子展暨嵌入式系统展（ELEXCON 2021）将隆重开幕。全球领先的半导体科技公司英飞凌也将在该行业盛会上重磅亮相，全面展示旗下创新的半导体科技如何连接现实与数字世界，让人们的生活更加便利、安全和环保。

英飞凌科技股份公司为其采用TRENCHSTOP™ IGBT7芯片的EconoDUAL™ 3产品组合推出新的额定电流。借助从300A到900A的广泛电流等级，该产品组合为逆变器设计者提供了高度的灵活性，同时也提供了更高的功率密度和性能。

关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。

在电力电子和半导体市场，系统方法的发展势头越来越好。为了支持这一趋势，英飞凌科技公司推出了一个经过预先测试的工业参考设计，大大缩短了客户开发产品的上市时间。

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。

日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。

英飞凌CIPOS™ Maxi SiC IPM 是一款基于MOSFET的55 mΩ三相CoolSiC™发射极开路智能电源模块，采用36x23D DIP封装。该模块具有优良导热性和高开关速率范围(高达80 Hz)，提供了功能齐全的紧凑型逆变器解决方案。

在英飞凌科技股份公司的协调下，“电子元件唯一可识别性的设计方法和硬件/软件联合验证”（VE-VIDES）研究项目已经开始运作。来自研究和学术部门以及电子和终端用户行业的12家合作伙伴将紧密合作，为物联网开发一个全面的整体安全概念。