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众所周知，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体，相较传统的硅材料半导体，具备许多非常优异的特性，如高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等。

为了展示电动汽车的出色动力和便捷性，大众汽车美国公司与长途驾驶专家Rainer Zietlow合作，于近日在弗吉尼亚州赫恩登的大众汽车美国总部开启了大众ID.4美国之旅。作为汽车、能源效率和物联网半导体的全球领先供应商，英飞凌科技股份公司为全新大众ID.4提供了50多款半导体器件支持，助力高能效的电动汽车和充电基础设施。

英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出业界首款支持USB Power Delivery（USB PD）3.1的高压微控制器（MCU）。

近期，一份由ABI Research*发表的研究报告预测，在乐观的条件下，全球生物识别支付卡市场在2025年将达到3.53 亿张。为能够帮助支付卡制造商满足不断成长的新兴市场，全球智能卡支付解决方案领导厂商英飞凌科技股份有限公司携手先进指纹识别与验证解决方案领先供应商IDEX Biometrics ASA 推出新一代生物识别智能卡架构的参考设计。

航天级可编程逻辑器件（FPGA）需要包含其引导配置的可靠的高容量非易失性存储器。为满足对高可靠性存储器日益增长的需求，英飞凌科技股份公司旗下的Infineon Technologies LLC近日宣布推出业界首款高容量抗辐射（RadTol）NOR闪存产品，该产品通过了MIL-PRF-38535 QML-V流程认证。QML-V流程是航天级IC的最高质量和可靠性标准认证。

安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟通过其在线互动社区与英飞凌联合发起低功耗物联网设计挑战赛。挑战赛鼓励e络盟社区成员利用英飞凌产品套件构建低功耗物联网设备，以改进工业应用设计。

近日，英飞凌科技股份公司推出了全新分立式封装的650 V TRENCHSTOP™ 5 WR6系列，该系列采用TO-247-3-HCC封装，能够实现额定电流分别为20 A、30 A、40 A、50 A、60 A和70 A的丰富产品组合，可轻松替换前代技术，如英飞凌TRENCHSTOP 5 WR5、HighSpeed 3 H3技术。

英飞凌科技股份有限公司提供的物联网 (IoT) 构件已变得更强大、更节能，而且体积更小。如今，几乎所有日常用品都能通过智能功能丰富起来，让生活更加便利。

通过XENSIV™ BGT60ATR24C AEC-Q100雷达感测器、AURIX™微控制器与OPTIREG™ PMIC，英飞凌科技股份有限公司为ICMS子系统提供广泛的产品來实现超宽带、超低功率和符合性价比的可扩展架构。这些设备支持采用新的信号处理技术，操作更稳固可靠，并在计算成本、信息程度以及系统功耗之间达到良好平衡。