英飞凌

全球功率系统与物联网领域的半导体领导者—— 英飞凌科技股份公司（法兰克福证交所代码：IFX / 美国 OTCX 国际场外交易市场代码：IFNNY）今日宣布，与专注于数据中心高交互、低时延 AI 推理计算的先锋企业 d-Matrix® 达成合作。

伴随新能源汽车加速发展、AI算力需求激增，以及能源结构向绿色低碳转型，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体，凭借高效率、高功率密度等优势，正加速在电动汽车、光伏储能、AI数据中心等应用场景落地。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）凭借其“面向测试工程的生成式AI”（GenAI for Test Engineering）项目荣获“2026年人工智能影响力奖”。

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出采用2300V CoolSiC™ MOSFET的新型XHP™2功率模块产品，进一步扩展了该产品组合。

近日，英飞凌科技与思格新能源（上海）股份有限公司正式宣布深化合作，双方将基于英飞凌最新一代1200V CoolSiC™ MOSFET G2碳化硅分立器件技术，共同为思格新能源户用光伏储能逆变器解决方案提供核心性能支撑，以技术创新驱动户用光储领域能效升级。

英飞凌连续第16次入选道琼斯全球及欧洲最佳表现指数（原道琼斯可持续发展指数）。

大联大控股旗下诠鼎集团宣布，携手英飞凌成功举办“CoolGaN™车规级氮化镓与AURIX™ TC4x 在车载OBC电源解决方案”线上研讨会。

美国国际贸易委员会（ITC）全体委员会在针对英诺赛科的专利侵权案中做出裁决，裁定英飞凌胜诉

2026 财年第二季度：营收 38.12 亿欧元，利润6.53 亿欧元，利润率 17.1%。

英诺赛科今日宣布，美国国际贸易委员会（“ITC”）在第 337‑TA‑1414 号调查中作出最终裁定，确认英诺赛科当前的氮化镓（“GaN”）功率器件产品未侵犯英飞凌的相关专利，并可不受限制地继续在美国进口和销售。