CoolMOS

本文介绍一个设计案例，采用电平位移驱动器碳化硅SiC MOSFET 5kW交错调制图腾柱PFC评估板。

为了实现在图腾柱PFC使用常见的开关器件，本文介绍预充电电路的解决方案。相较采用宽禁带半导体，此方案的功率半导体器件较普遍且容易取得，提供给使用者做为设计参考。

近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。

一、摘要

1、摘要

近来，LLC拓扑以其高效，高功率密度受到广大电源设计工程师的青睐，但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却超过了以往任何一种硬开关拓扑。特别是在电源启机，动态负载，过载，短路等情况下。CoolMOS 以其快恢复体二极管，低Qg 和Coss能够完全满足这些需求并大大提升电源系统的可靠性。

凭借600 V CoolMOS™ CFD7，英飞凌科技股份公司推出最新的高压超结MOSFET技术。该600 V CoolMOS™ CFD7是CoolMOS 7系列的新成员。