SiC FET

开关损耗一直是影响电力电子设备性能的关键因素之一，也成了人们对高效率追求路上的拦路虎。

在 TOLL 封装中，这些器件具有 5.4 mΩ 的导通电阻，比目前市场同类产品中最佳的 Si MOSFETs、SiC MOSFETs 和 GaN 晶体管还要低上 4-10 倍