SiC

安富利基于英飞凌CoolSiC™打造了一套3.3 kW高功率密度双向PFC解决方案，它的最高效率可达99.2%，功率密度约72 W/in³，专为下一代高能效应用而生。

• 成功开发450V-2300V SiC平面MOSFET工艺平台，确保高可靠性与良率竞争力

在电动汽车与高性能电力电子高速演进的背景下，一个看似不起眼却至关重要的基础元器件——多层片式陶瓷电容器（MLCC）——正在成为新一轮技术竞争的关键焦点。

随着电力电子系统追求更高的效率和密度，氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等宽禁带（WBG）半导体在新能源领域有了更多的应用

全新发布的3300V / 2300V GeneSiC™ 碳化硅产品基于最新沟槽辅助平面栅技术 Trench-Assisted Planar（TAP）与先进封装，实现 AI 数据中心、电网与能源基础设施及工业电气化系统的更高效率与更长寿命，包括储能、可再生能源与兆瓦级快充等关键应用。

该技术指南的内容还包括村田Y电容器、吸收电容器在xEV的功率电子中的解决方案以及应用案例。

本篇聚焦自举供电场景，重点介绍一种 SiC MOSFET 的可靠驱动方案，通过将简易负压生成电路与具备米勒钳位功能的驱动芯片相结合，从而省去了专门的负压隔离电路设计

要实现零碳社会的目标，交通工具的电动化至关重要。更轻、更高效的电子元器件在这一进程中发挥着重要作用。车载充电器（OBC）便是其中一例。