SiC

为推动下一代固态配电系统的发展，英飞凌科技股份公司正在扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出了新型CoolSiC™ JFET产品系列。

全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，推出4in1及6in1结构的SiC塑封型模块“HSDIP20”。

随着SiC的应用增多，客户对SiC技术知识的积累正热情高涨。然而在日常访客过程中，我发现即使是资深的研发工程师，都会存在两个最常见的认知误区

基于公司成熟量产的第二代车规SiC MOS平台，华润微电子功率器件事业群（以下简称PDBG）推出了1200V 450A/600A的半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块。

正向电阻温漂特性出色，电磁优化设计

与硅基模块相比，全SiC SLIMDIP的功率损耗降低了79%，混合SiC SLIMDIP的功率损耗降低了47%，可使电器更节能。

基于公司成熟量产的第二代车规SiC MOS平台，华润微电子功率器件事业群（以下简称PDBG）推出了1200V 450A/600A的半桥DCM和全桥HPD共四款主驱模块。

SiC JFET cascode应用指南讲解了共源共栅（cascode）结构、关键参数、独特功能和设计支持。本文为第一篇，将重点介绍Cascode结构。

瞻芯电子正式推出3B封装的2000V 碳化硅(SiC) 4相升压功率模块产品(IV3B20023BA2)，为光伏等领域提供了高电压、高功率密度的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试，并在光伏客户导入验证。

3月11日，瞻芯电子推出1B封装的1200V 9mΩ 碳化硅(SiC)半桥功率模块(IV1B12009HA2L)为光伏、储能和充电桩等应用场景，提供了高效、低成本的解决方案。该产品已通过工业级可靠性测试。