SiC

碳化硅（SiC）半导体具有体积小、效率高、功率密度大的显著优势。经过多年的研发，博世目前准备开始大规模量产由碳化硅这一创新材料制成的功率半导体，以提供给全球各大汽车生产商。

基础半导体元器件领域的专家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管，正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措，旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。

碳化硅功率器件设计及方案商派恩杰半导体（杭州）有限公司官方消息称，继创东方投资、天际资本后再获湖杉资本数千万Pre-A轮融资，本次融资资金将用于更高电压平台功率器件产品的研发和全球市场的布局。

随着中国“十四五”规划的提出、以及全球科技产业对于“碳达峰、碳中和”的目标达成共识，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体新材料凭借高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率以及抗强辐射能力等优异特性，成为了支撑5G基建、新能源产业、特高压、轨道交通等领域的核心技术。

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。

全球碳化硅技术领先企业科锐Cree, Inc. 与意法半导体STMicroelectronics 宣布扩大现有的多年长期碳化硅（SiC）晶圆供应协议。科锐旗下 Wolfspeed 是全球 SiC 技术引领者。