Transphorm

Transphorm推出顶部散热型TOLT封装FET器件，助力计算、人工智能、能源和汽车电源系统实现卓越的热性能和电气性能

由 winniewei 提交于周三, 29 十一月 2023 - 16:35

新推出器件是业界首款采用顶部散热的 TOLT 氮化镓晶体管，扩展Transphorm多样化的产品封装组合

由 winniewei 提交于周四, 16 十一月 2023 - 11:22

由 winniewei 提交于周二, 7 十一月 2023 - 14:35

三款新器件为SMD的高功率系统带来了SuperGaN的常闭型(Normally-Off D-Mode)平台优势，此类高功率系统需要在高功率密度的情况下实现更高的可靠性和性能，并产生较低的热量

由 winniewei 提交于周四, 19 十月 2023 - 15:09

氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势，而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协

由 winniewei 提交于周四, 12 十月 2023 - 14:23

使用更为先进的 Transphorm氮化镓器件，使突破性的太阳能电池板系统外形更小、更轻，且拥有更高的性能和效率。

由 winniewei 提交于周三, 11 十月 2023 - 14:07

由 winniewei 提交于周一, 28 八月 2023 - 09:58

与安川电机公司合作取得的这项成果，充分利用了 Transphorm 常关型平台的基本优势。

由 winniewei 提交于周五, 25 八月 2023 - 11:04

由 winniewei 提交于周五, 11 八月 2023 - 09:33

由 winniewei 提交于周一, 19 六月 2023 - 09:23

Transphorm FET 使用简单的半桥栅极驱动器实现了高达 99% 的效率，验证了在超过 1 kW 的宽功率范围内具有成本效益的设计方案