Transphorm

提供最广泛的功率范围：此次参展的全新 650 V Weltrend SuperGaN SiP 设计将揭示 1200 V SuperGaN 器件的设计资源

评估板采用SuperGaN® FET和dsPIC® DSC模块，可简化并加速高压电源系统的开发

该系统级封装(SiP)氮化镓功率管可以为USB-C PD适配器和其它低功耗应用提供结构紧凑、具成本效益、快速面市的解决方案。

系统级封装可以为USB-C PD适配器和其他低功耗应用提供结构紧凑、经济实惠、快速面市的解决方案

产品拆解显示惠普65W USB-C PD/PPS双输出电源适配器采用Transphorm SuperGaN® FET技术 

目前，同业竞争氮化镓技术均未推出插件式封装的氮化镓器件。采用符合产业标准的插件式封装，电源能够以更低的成本获得功率密度优势。

行业标准通孔封装为电源带来低成本的功率密度优势，竞争对手的GaN技术无法提供这种封装

公司的高压氮化镓(GaN)器件在各种功率级别的应用中持续提供一流的可靠性 

该公司高压氮化镓器件持续为全功率范围的应用提供极佳的可靠性

大中华区新增办事处提升服务亚太区域电力电子客户的能力