技术
电子器件本身就有各种不同的噪声源，包括热噪声、散粒噪声、白(宽带)噪声和1/f (闪烁效应)噪声。1/f 噪声是低频电子噪声，其中电流 (ISD) 或功率 (PSD) 频谱密度与频率成反比。
距离测量和目标检测在许多领域发挥着重要作用，包括工厂自动化、机器人应用和物流。特别是在安全应用领域，需要对特定距离的物体或人员进行检测和响应。例如，一旦工人进入危险区域，机械臂就可能需要立即停止操作。
局部放电（partial discharge，简称PD）现象，通常主要指的是高压电气设备绝缘层在足够强的电场作用下局部范围内发生的放电，某个区域的电场强度一旦达到其介质击穿场强时，该区域就会出现放电现象。这种放电以仅造成导体间的绝缘局部短（路桥）接而不形成导电通道为限。
处理器架构伴随着数据的发展而发展，目前，我们正处于由四大超级技术力量——无所不在的计算、无处不在的连接、人工智能和从云到边缘的基础设施，所引领的数据爆炸的时代，每一秒都会产生各种类型的数据，如标量、张量、矢量、空间数据等等，要应对这些爆发增长的大数据，未来数据中心该需要什么样的处理器？
10月21日， 在珠海举办的2021 CCF全国高性能计算学术年会上，英特尔公司市场营销集团副总裁、中国区行业解决方案部总经理梁雅莉分享了《用高性能计算加速技术领先》的主题报告。我们从她的分享以及其他发言人报告中可以管窥到未来E级数据时代处理器架构的端倪。
当消费者已经接受了依靠便捷、联网设备来实现家居功能自动化的概念时，智能建筑也是如此。手动设置恒温器或自动计时器的日子已经一去不复返。现在，可以随时随地通过智能手机应用程序甚至云AI控制这些功能。
采样保持放大器或SHA是大部分数据采集系统的关键组成部分，它捕捉模拟信号并在某些操作（最常见的是模数转换）中保持信号不变。SHA对相关电路的要求非常高，电容和印刷电路板等普通组件的某些特性可能会意想不到地降低SHA性能。
半导体行业一直在寻找新型特殊材料、介电解决方案和新型器件形状，以进一步、再进一步缩小器件尺寸。例如，2D材料的横向和纵向异质结构导致了新的颠覆性小型低功率电子器件的产生。
随着工业 4.0 的先进制造工艺席卷全球市场，高度自动化系统的需求急剧增长，这些系统既需要在集成的制造流程中运行，又需要不断收集流程控制数据。
自特斯拉第一次采用ST 650V SiC MOSFET后，目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品。国内厂商派恩杰半导体也推出了650V 60mΩSiC MOSFET。相较于国外厂商，国内厂商的SiC MOSFET产品性能到底如何？派恩杰半导体采用自主设计的Buck-Boost效率测试平台针对650V 60mΩSiC MOSFET高温性能进行了对比测试。本文分享测试结果。
在PCIe 5.0中，计算机PCIe通道和主板都面临着明显的挑战，因为要处理32GT/s数据速率。除了在较低数据速率遇到的挑战外，PCIe 5.0设备预计还会遇到明显的信号完整性挑战。
如果您尚未驾驶过电动汽车(EV)，包括混合动力电动汽车(HEV)、插电式混合动力汽车(PHEV)和全电动汽车，那么很可能您就快要开上了。里程焦虑已成为过去。现在，您可以帮助保护环境，而不必担心陷在其中。
剑桥量子（“CQ”）宣布推出全球首个量子自然语言处理（QNLP）工具包和文库。该工具包被称为lambeq，以已故数学家和语言学家Joachim Lambek的名字命名。
